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Circuit LSI
Circuit MSI
Circuit intégré spécialisé
Circuit intégré spécifique
Circuit intégré à application spécifique
Circuit intégré à grande échelle
Circuit intégré à haute densité
Circuit intégré à moyenne échelle
Circuit spécialisé
Circuit spécifique
Circuit à degré moyen d'intégration
Circuit à densité d'intégration moyenne
Circuit à faible densité d'intégration
Circuit à forte densité d'intégration
Circuit à intégration à moyenne échelle
Contreplaqué revêtu de densité moyenne
Contreplaqué à revêtement de densité moyenne
Intégration à moyenne échelle
MDF
Macrologique
Panneau de fibres de moyenne densité
Panneau de fibres à densité moyenne

Traduction de «circuit à densité d'intégration moyenne » (Français → Anglais) :

TERMINOLOGIE
voir aussi les traductions en contexte ci-dessous
circuit MSI [ circuit intégré à moyenne échelle | circuit à densité d'intégration moyenne ]

MSI circuit [ medium scale integrated circuit | medium-scale integrated circuit ]


macrologique [ circuit intégré à grande échelle | circuit LSI | circuit à forte densité d'intégration ]

large-scale integrated circuit [ large scale integrated circuit | LSI circuit | chip circuit | multiple-function chip ]


circuit à faible densité d'intégration

single-size integrated circuit


panneau de fibres à densité moyenne | panneau de fibres de moyenne densité | MDF

medium-density fiberboard | MDF | medium-density fibreboard


circuit à intégration à moyenne échelle | circuit MSI

medium-scale-integration circuit | MSI circuit


circuit à degré moyen d'intégration | intégration à moyenne échelle

medium scale integration | medium scale integration circuit | MSI [Abbr.]


circuit intégré à haute densité

high density integrated circuit


contreplaqué revêtu de densité moyenne | contreplaqué à revêtement de densité moyenne

Medium Density Overlay | MDO | Medium-density overlay | Medium-Density Overlay plywood | medium density overlay board | Medium Density Overlaid plywood | MDO plywood | MDO Board


circuit intégré à application spécifique | circuit intégré spécifique | circuit spécifique | circuit intégré spécialisé | circuit spécialisé

application-specific integrated circuit | ASIC


circuit intégré à application spécifique | circuit intégré spécifique | circuit spécifique

Application Specific Integrated circuit | ASIC
TRADUCTIONS EN CONTEXTE
Plomb dans les soudures servant à unir des dissipateurs de chaleur au radiateur dans les assemblages de semi-conducteur de puissance avec un circuit intégré d’au moins 1 cm2 d’aire de projection et une densité de courant nominal d’au moins 1 A/mm2 de la superficie du circuit intégré

Lead in solder to attach heat spreaders to the heat sink in power semiconductor assemblies with a chip size of at least 1 cm2 of projection area and a nominal current density of at least 1 A/mm2 of silicon chip area


Les produits faisant l'objet du réexamen sont certains circuits électroniques intégrés dits «DRAM» (dynamic random access memories — mémoires dynamiques à accès aléatoire), fabriqués à l'aide de variantes du procédé métal-oxyde-semi-conducteur (MOS), y compris certains types de MOS complémentaire (CMOS), de tous types, densités et variantes, quels que soient leur vitesse d'accès, leur configuration, leur mode de conditionnement ou leur support, etc., originaires de la République de Corée (ci-après dénommés «produit concerné»).

The product under review is certain electronic integrated circuits known as Dynamic Random Access Memories (DRAMs) manufactured using variations of metal oxide-semiconductors (MOS) process technology, including complementary MOS types (CMOS), of all types, densities, variations, access speed, configuration, package or frame, etc. originating in the Republic of Korea (‘the product concerned’).


Systèmes à débit massique constant Dans le cas des systèmes équipés d'un échangeur de chaleur, la masse des polluants Mgaz (g/essai) est dérivée de l'équation suivante: Mgaz = u x conc x MTOTW où: u = rapport entre la densité du composant des gaz d'échappement et la densité des gaz d'échappement dilués, comme indiqué au tableau 4, point 2.1.2.1 conc = concentrations moyennes corrigées des concentrations de fond sur la durée du cycle à partir de l'intégration (obligato ...[+++]

Systems with Constant Mass Flow For systems with heat exchanger, the mass of the pollutants MGAS (g/test) shall be determined from the following equation: MGAS = u x conc x MTOTW where u = ratio between density of the exhaust component and density of diluted exhaust gas, as reported in Table 4, point 2.1.2.1 conc = average background corrected concentrations over the cycle from integration (mandatory for NOx and HC) or bag measurement (ppm) MTOTW = total mass of diluted exhaust gas over the cycle as determined in section 2.2.1 (kg) As ...[+++]


La 'densité d'énergie' est obtenue en multipliant la puissance moyenne exprimée en watts (égale au produit de la tension moyenne, exprimée en volts, par le courant moyen exprimé en ampères) par la durée de la décharge, exprimée en heures, à 75 % de la tension en circuit ouvert et en divisant le produit obtenu par la masse totale de l'élément (ou de la batterie) exprimée en kilogrammes.

'Energy density' is obtained by multiplying the average power in watts (average voltage in volts times average current in amperes) by the duration of the discharge in hours to 75 % of the open circuit voltage divided by the total mass of the cell (or battery) in kg.


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La "densité d'énergie" est obtenue en multipliant la puissance moyenne exprimée en watts (égale au produit de la tension moyenne, exprimée en volts, par le courant moyen exprimé en ampères) par la durée de la décharge, exprimée en heures, à 75 % de la tension en circuit ouvert et en divisant le produit obtenu par la masse totale de l'élément (ou de la batterie) exprimée en kilogrammes.

"Energy density" is obtained by multiplying the average power in watts (average voltage in volts times average current in amperes) by the duration of the discharge in hours to 75 % of the open circuit voltage divided by the total mass of the cell (or battery) in kg.


8 h) Plomb dans les soudures servant à unir des dissipateurs de chaleur au radiateur dans les assemblages de semi-conducteur de puissance avec un circuit intégré d’au moins 1 cm d’aire de projection et une densité de courant nominal d’au moins 1 A/mm de la superficie du circuit intégré

8(h) Lead in solder to attach heat spreaders to the heat sink in power semiconductor assemblies with a chip size of at least 1 cm of projection area and a nominal current density of at least 1 A/mm of silicon chip area


Produit - marché Les DRAM sont des circuits intégrés (CI) ayant des capacités de mémoire ou densités différentes (par exemple 1M, 4M, 16M, ...) utilisés pour le stockage et la recherche d'informations dans des circuits électroniques.

The product, the market DRAMs are integrated circuits ("ICs") of different capacities, i.e. densities (e.g. 1M, 4M, 16M,..) and used for the storage and retrieval of information in electronic circuits.


- 1) Des firmes europeennes ont rattrape et depasse certains concurrents americains et japonais (voir tableau en annexe) ; - 2) Les europeens mettent au point des nouvelles generations de circuits integres puissants -en termes de vitesse et de densite-qui sont parmi les meilleurs du monde ; - 3) Des systemes de logiciels sont developpes en commun pour assurer des productions de logiciels plus rapides, plus surs et plus efficaces.

1. European companies have caught up with and overtaken a number of American and Japanese competitors (see table attached) ; 2. The Europeans are developing new generations of integrated circuit which offer high performance in terms of speed and density and which are among the best in the world ; 3. Software systems are being developed jointly in order to produce faster, more dependable and more efficient software.


La Commission qui reconnait qu'il s'agit d'un moyen d'accroitre la cooperation entre les entreprises industrielles en general et les petites et moyennes entreprises en particulier, a deja propose l'organisation a l'automne d'un seminaire sur les circuits integres a arseniure de gallium auquel participeraient toutes les parties interessees.

Recognizing this as a means to further cooperation between industrial companies in general and small and medium-sized enterprises in particular, the Commission has already proposed the organisation in the autumn of a seminar on gallium arsenide integrated circuits to be attended by all interested parties.


La Commission qui reconnait qu'il s'agit d'un moyen d'accroitre la cooperation entre les entreprises industrielles en general et les petites et moyennes entreprises en particulier, a deja propose l'organisation a l'automne d'un seminaire sur les circuits integres a arseniure de gallium auquel participeraient toutes les parties interessees.

Recognizing this as a means to further cooperation between industrial companies in general and small and medium-sized enterprises in particular, the Commission has already proposed the organisation in the autumn of a seminar on gallium arsenide integrated circuits to be attended by all interested parties.


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