Traduction de «laser à l'arséniure de gallium » (Français → Anglais) :

TERMINOLOGIE
voir aussi les traductions en contexte ci-dessous

laser à arséniure de gallium à puits quantiques

http://www.btb.termiumplus.gc. (...) (...) [HTML] [2018-01-01]

gallium arsenide quantum well laser [ GaAs quantum well laser ]

http://www.btb.termiumplus.gc. (...) (...) [HTML] [2018-01-01]

http://www.btb.termiumplus.gc. (...) [HTML] [2018-01-01]

diode laser à arséniure de gallium

http://www.btb.termiumplus.gc. (...) (...) [HTML] [2018-01-01]

gallium arsenide laser diode

http://www.btb.termiumplus.gc. (...) (...) [HTML] [2018-01-01]

http://www.btb.termiumplus.gc. (...) [HTML] [2018-01-01]

amplificateur de puissance à transistor à effet de champ à l'arséniure de gallium [ amplificateur de puissance à TEC GaAs | amplificateur de puissance à FET GaAs | amplificateur à arséniure de gallium à effet de champ ]

http://www.btb.termiumplus.gc. (...) (...) [HTML] [2018-01-01]

gallium arsenide FET power amplifier [ SSPA | GaAsFET amplifier ]

http://www.btb.termiumplus.gc. (...) (...) [HTML] [2018-01-01]

http://www.btb.termiumplus.gc. (...) [HTML] [2018-01-01]

laser à l'arséniure de gallium et d'aluminium

http://gdt.oqlf.gouv.qc.ca/fic (...) (...) [HTML] [2018-01-01]

aluminium gallium arsenide laser

http://gdt.oqlf.gouv.qc.ca/fic (...) (...) [HTML] [2018-01-01]

http://gdt.oqlf.gouv.qc.ca/fic (...) [HTML] [2018-01-01]

arséniure de gallium | arsénure de gallium

http://iate.europa.eu/FindTerm (...) (...) [HTML] [2017-12-31]

gallium arsenide

http://iate.europa.eu/FindTerm (...) (...) [HTML] [2017-12-31]

http://iate.europa.eu/FindTerm (...) [HTML] [2017-12-31]

laser semiconducteur à l'arséniure de gallium/aluminium

http://gdt.oqlf.gouv.qc.ca/fic (...) (...) [HTML] [2018-01-01]

Al Ga As type semiconductor laser | diode laser | laser diode | injected laser

http://gdt.oqlf.gouv.qc.ca/fic (...) (...) [HTML] [2018-01-01]

http://gdt.oqlf.gouv.qc.ca/fic (...) [HTML] [2018-01-01]

arséniure de gallium-indium

http://iate.europa.eu/FindTerm (...) (...) [HTML] [2017-12-31]

gallium-indium arsenid

http://iate.europa.eu/FindTerm (...) (...) [HTML] [2017-12-31]

http://iate.europa.eu/FindTerm (...) [HTML] [2017-12-31]

circuits AsGA (arséniure de gallium)

http://iate.europa.eu/FindTerm (...) (...) [HTML] [2017-12-31]

Gallium Arsenide devices (GA As)

http://iate.europa.eu/FindTerm (...) (...) [HTML] [2017-12-31]

http://iate.europa.eu/FindTerm (...) [HTML] [2017-12-31]

TRADUCTIONS EN CONTEXTE

Le règlement (UE) no 944/2013 établit une nouvelle classification harmonisée pour les substances suivantes: le [brai de goudron de houille à haute température] a été classé comme cancérogène de catégorie 1A; l’arséniure de gallium a été classé comme cancérogène de catégorie 1B; le [brai de goudron de houille à haute température] a été classé comme mutagène de catégorie 1B; le [brai de goudron de houille à haute température], l’époxiconazole (ISO), le nitrobenzène, le phthalate de dihexyle, la N-éthyl-2-pyrrolidone, le pentadécafluorooctanoate d’ammonium, l’acide pentadécafluorooctanoïque et le 10-éthyl-4,4-dioctyl-7-oxo-8-oxa-3,5-dith ...[+++]

https://eur-lex.europa.eu/lega (...) (...) [HTML] [2014-03-26]

Regulation (EU) No 944/2013 establishes a new harmonised classification for the following substances: [pitch, coal tar, high-temp.] has been classified as carcinogenic 1A; gallium arsenide has been classified as carcinogenic 1B; [pitch, coal tar, high-temp.] has been classified as mutagenic 1B; [pitch, coal tar, high-temp.], epoxiconazole (ISO), nitrobenzene, dihexyl phthalate, N-ethyl-2-pyrrolidone, ammoniumpentadecafluorooctanoate, perfluorooctanoic acid and 2-ethylhexyl 10-ethyl-4,4-dioctyl-7-oxo-8-oxa-3,5-dithia-4-stannatetradecanoate have been classified as reproductive toxicant 1B.

https://eur-lex.europa.eu/lega (...) (...) [HTML] [2014-03-26]

https://eur-lex.europa.eu/lega (...) [HTML] [2014-03-26]

Le règlement (UE) no 944/2013 établit une nouvelle classification harmonisée pour les substances suivantes: le [brai de goudron de houille à haute température] a été classé comme cancérogène de catégorie 1A; l’arséniure de gallium a été classé comme cancérogène de catégorie 1B; le [brai de goudron de houille à haute température] a été classé comme mutagène de catégorie 1B; le [brai de goudron de houille à haute température], l’époxiconazole (ISO), le nitrobenzène, le phthalate de dihexyle, la N-éthyl-2-pyrrolidone, le pentadécafluorooctanoate d’ammonium, l’acide pentadécafluorooctanoïque et le 10-éthyl-4,4-dioctyl-7-oxo-8-oxa-3,5-dith ...[+++]

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) (...) [HTML] [2014-03-26]

Regulation (EU) No 944/2013 establishes a new harmonised classification for the following substances: [pitch, coal tar, high-temp.] has been classified as carcinogenic 1A; gallium arsenide has been classified as carcinogenic 1B; [pitch, coal tar, high-temp.] has been classified as mutagenic 1B; [pitch, coal tar, high-temp.], epoxiconazole (ISO), nitrobenzene, dihexyl phthalate, N-ethyl-2-pyrrolidone, ammoniumpentadecafluorooctanoate, perfluorooctanoic acid and 2-ethylhexyl 10-ethyl-4,4-dioctyl-7-oxo-8-oxa-3,5-dithia-4-stannatetradecanoate have been classified as reproductive toxicant 1B.

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) (...) [HTML] [2014-03-26]

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) [HTML] [2014-03-26]

Les technologies émergentes qui sont les principaux moteurs de la demande de matières premières critiques sont l’oxyde d’antimoine et d’étain et les microcondensateurs pour l’antimoine, les batteries ion lithium et les carburants de synthèse pour le cobalt, les cellules photovoltaïques en couches minces, les circuits intégrés et les diodes électroluminescentes blanches pour le gallium, les câbles à fibres optiques et les technologies optiques infrarouges pour le germanium, les écrans d’affichage et les cellules photovoltaïques en couches minces pour l’indium, les piles à combustible et les catalyseurs pour le platine (métal du groupe du ...[+++]

http://europa.eu/rapid/press-r (...) (...) [HTML] [2010-06-16]

The main driving emerging technologies for the critical raw materials are antimony tin oxide and micro capacitors for Antimony, Lithium-ion batteries and synthetic fuels for Cobalt, thin layer photovoltaics, IC, WLED for Gallium, fibre optic cable for and IR optical technologies for Germanium, displays and thin layer photovoltaics for Indium, Fuel cells and catalysts for, Platinum (PGM), catalysts and seawater desalination for Palladium (PGM), micro capacitors and ferroalloys for Niobium, permanent magnets and laser technology for Neod ...[+++]

http://europa.eu/rapid/press-r (...) (...) [HTML] [2010-06-16]

http://europa.eu/rapid/press-r (...) [HTML] [2010-06-16]

L'alinéa 6A002.c. ne vise pas les équipements suivants incorporant des photocathodes autres qu'à l'arséniure de gallium (AsGa) ou à l'arséniure de gallium-indium (AsInGa):

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) (...) [HTML] [2003-01-26]

6A002.c. does not control the following equipment incorporating other than GaAs or GaInAs photocathodes:

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) (...) [HTML] [2003-01-26]

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) [HTML] [2003-01-26]

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Les composés III/V sont des produits polycristallins ou monocristallins binaires ou complexes constitués d'éléments des groupes IIIA et VA du tableau de classification périodique de Mendeleïev (arséniure de gallium, arséniure de gallium-aluminium, phosphure d'indium, etc.).

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) (...) [HTML] [2003-01-26]

III/V compounds are polycrystalline or binary or complex monocrystalline products consisting of elements of groups IIIA and VA of Mendeleyev's periodic classification table (e.g., gallium arsenide, gallium-aluminium arsenide, indium phosphide).

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) (...) [HTML] [2003-01-26]

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) [HTML] [2003-01-26]

9. Les "matériaux pour fenêtres de capteurs" sont les suivants: alumine, silicium, germanium, sulfure de zinc, séléniure de zinc, arséniure de gallium, diamant, gallium phosphoré, saphir et les halogénures métalliques suivants: matériaux pour fenêtres de capteurs ayant un diamètre supérieur à 40 mm pour le fluorure de zirconium et le fluorure de hafnium.

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) (...) [HTML] [2003-01-26]

9'. Sensor window materials', as follows: alumina, silicon, germanium, zinc sulphide, zinc selenide, gallium arsenide, diamond, gallium phosphide, sapphire and the following metal halides: sensor window materials of more than 40 mm diameter for zirconium fluoride and hafnium fluoride.

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) (...) [HTML] [2003-01-26]

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) [HTML] [2003-01-26]

La Commission qui reconnait qu'il s'agit d'un moyen d'accroitre la cooperation entre les entreprises industrielles en general et les petites et moyennes entreprises en particulier, a deja propose l'organisation a l'automne d'un seminaire sur les circuits integres a arseniure de gallium auquel participeraient toutes les parties interessees.

http://europa.eu/rapid/press-r (...) (...) [HTML]

Recognizing this as a means to further cooperation between industrial companies in general and small and medium-sized enterprises in particular, the Commission has already proposed the organisation in the autumn of a seminar on gallium arsenide integrated circuits to be attended by all interested parties.

http://europa.eu/rapid/press-r (...) (...) [HTML]

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L'activité de recherche se concentrera dans le domaine des semi-conducteurs (comme l'arséniure de gallium), des micro-systèmes (par exemple mise au point de systèmes portables de diagnostic médical intelligent) et des périphériques (écrans plats, etc.).

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Research will focus on semiconductors (e.g. gallium arsenide), microsystems (e.g. portable intelligent medical diagnostic systems) and peripherals (flat screens, etc.).

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La Commission qui reconnait qu'il s'agit d'un moyen d'accroitre la cooperation entre les entreprises industrielles en general et les petites et moyennes entreprises en particulier, a deja propose l'organisation a l'automne d'un seminaire sur les circuits integres a arseniure de gallium auquel participeraient toutes les parties interessees.

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Recognizing this as a means to further cooperation between industrial companies in general and small and medium-sized enterprises in particular, the Commission has already proposed the organisation in the autumn of a seminar on gallium arsenide integrated circuits to be attended by all interested parties.

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Date index: 2023-09-28