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3-5 compound semiconductor
Bi-directional triode thyristor
Bidirectional triode thyristor
Bilateral triode thyristor
Boron coated semiconductor detector
Boron-coated semiconductor detector
Diode laser
Direct band gap semiconductor
Direct semiconductor
Direct transition semi-conductor
Direct transition semiconductor
Direct-band gap semiconductor
Direct-band-gap semiconductor
Direct-gap material
Direct-gap semiconductor
Direct-transition semi-conductor
Elemental semiconductor
Elementary semiconductor
III-V semiconductor
ILD
Injection laser
Injection laser diode
Junction diode laser
LD
Laser diode
Laser-diode
Lithium coated semiconductor detector
Produce semiconductor crystals
Semi-conductor injection laser
Semi-conductor laser
Semiconductor crystal producing
Semiconductor crystals making
Semiconductor crystals producing
Semiconductor injection laser
Semiconductor laser
Semiconductor laser diode
Single element semiconductor
Three-five compound semiconductor
Three-five semiconductor
Triode AC semiconductor
Triode for alternation current

Traduction de «direct semiconductor » (Anglais → Français) :

TERMINOLOGIE
voir aussi les traductions en contexte ci-dessous
direct-band gap semiconductor [ direct-gap semiconductor | direct semiconductor | direct band gap semiconductor ]

semi-conducteur à structure de bande directe [ semi-conducteur à transition directe ]


direct-band gap semiconductor | direct-gap semiconductor | direct semiconductor | direct-gap material

semi-conducteur à structure de bande directe | semiconducteur à structure de bande directe | semiconducteur à transition directe | semi-conducteur à transition directe | semiconducteur à transitions directes | semiconducteur direct | semi-conducteur direct


direct-band-gap semiconductor | direct-gap semiconductor

semiconducteur à transistion directe


direct transition semiconductor [ direct-transition semi-conductor | direct transition semi-conductor ]

semi-conducteur à transition directe [ semiconducteur à transition directe ]


triode AC semiconductor [ triode for alternation current | bi-directional triode thyristor | bilateral triode thyristor | bidirectional triode thyristor ]

triac [ thyristor triode bi-directionnel ]


3-5 compound semiconductor | III-V semiconductor | three-five compound semiconductor | three-five semiconductor

semiconducteur composé des groupes trois et cinq


semiconductor crystals making | semiconductor crystals producing | produce semiconductor crystals | semiconductor crystal producing

produire des cristaux pour semi-conducteurs


elemental semiconductor | elementary semiconductor | single element semiconductor

semiconducteur élémentaire


boron coated semiconductor detector | boron-coated semiconductor detector | lithium coated semiconductor detector

semicteur à dépôt de bore


laser diode | LD | laser-diode | semiconductor injection laser | semi-conductor injection laser | semiconductor laser | semi-conductor laser | injection laser | injection laser diode | ILD | junction diode laser | diode laser | semiconductor laser diode

diode laser | DL | laser à injection | laser à jonction | laser à semiconducteur | LSC | laser à semi-conducteur | laser à semiconducteurs | LSC | diode laser à semiconducteurs | laser semiconducteur
TRADUCTIONS EN CONTEXTE
the quantities of each substance listed in Annex I and, where applicable, Annex II it has placed on the market in the Union, specifying separately quantities placed on the market for feedstock uses, direct exports, producing metered dose inhalers for the delivery of pharmaceutical ingredients, use in military equipment and use in the etching of semiconductor material or the cleaning of chemical vapour deposition chambers within the semiconductor manufacturing sector.

les quantités de chaque substance énumérée à l’annexe I et, le cas échéant, à l’annexe II, qu’il a mises sur le marché dans l’Union, en indiquant séparément les quantités mises sur le marché pour utilisation comme intermédiaire de synthèse, exportation directe, production d’inhalateurs doseurs destinés à l’administration de produits pharmaceutiques, utilisation dans des équipements militaires et utilisation pour la gravure de matériaux semi-conducteurs ou le nettoyage de chambres de dépôt en phase de vapeur par procédé chimique dans l ...[+++]


hydrofluorocarbons supplied directly by a producer or an importer to an undertaking using it for the etching of semiconductor material or the cleaning of chemicals vapour deposition chambers within the semiconductor manufacturing sector.

aux hydrofluorocarbones fournis directement par un producteur ou un importateur à une entreprise qui les utilise pour la gravure de matériaux semi-conducteurs ou le nettoyage de chambres de dépôt en phase de vapeur par procédé chimique dans l’industrie des semi-conducteurs.


the quantity of each substance listed in Annex I and, where applicable, Annex II it has imported into the Union, identifying the main categories of application in which the substance is used, specifying separately quantities placed on the market for destruction, feedstock uses, direct exports, producing metered dose inhalers for the delivery of pharmaceutical ingredients, use in military equipment and use in the etching of semiconductor material or the cleaning of chemical vapour deposition chambers within the semiconductor manufactur ...[+++]

les quantités de chaque substance énumérée à l’annexe I et, le cas échéant, à l’annexe II, qu’il a importée dans l’Union, en indiquant les principales catégories d’applications dans lesquelles la substance est utilisée, en indiquant séparément les quantités mises sur le marché pour destruction, utilisation comme intermédiaire de synthèse, exportation directe, production d’inhalateurs doseurs destinés à l’administration de produits pharmaceutiques, utilisation dans des équipements militaires et utilisation pour la gravure de matériaux semi-conducteurs ou le net ...[+++]


H. whereas the Commission Delegated Directive extends exemption 39 until 30 June 2017, relabelling it exemption 39(a), and introduces a new more specific exemption 39(b) on ‘Cadmium in downshifting cadmium based semiconductor nanocrystal quantum dots for use in display lighting applications (

H. considérant que la directive déléguée prolonge l'exemption 39 jusqu'au 30 juin 2017, en la renommant l'exemption 39 a), tout en introduisant une nouvelle exemption 39 b), plus spécifique, sur le "cadmium dans les boîtes quantiques de nanocristaux semiconducteurs à base de cadmium pour conversion de longueur d'onde ("downshifting") destinées à être utilisées dans les applications d'éclairage d'écrans (


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the quantity of each substance listed in Annex I and, where applicable, Annex II it has imported into the Union, identifying the main categories of application in which the substance is used, specifying separately quantities placed on the market for destruction, feedstock uses, direct exports, producing metered dose inhalers for the delivery of pharmaceutical ingredients, use in military equipment and use in the etching of semiconductor material or the cleaning of chemical vapour deposition chambers within the semiconductor manufactur ...[+++]

les quantités de chaque substance énumérée à l'annexe I et, le cas échéant, à l'annexe II, qu'il a importée dans l'Union, en indiquant les principales catégories d'applications dans lesquelles la substance est utilisée, en indiquant séparément les quantités mises sur le marché pour destruction, utilisation comme intermédiaire de synthèse, exportation directe, production d'inhalateurs doseurs destinés à l'administration de produits pharmaceutiques, utilisation dans des équipements militaires et utilisation pour la gravure de matériaux semi-conducteurs ou le net ...[+++]


the quantities of each substance listed in Annex I and, where applicable, Annex II it has placed on the market in the Union, specifying separately quantities placed on the market for feedstock uses, direct exports, producing metered dose inhalers for the delivery of pharmaceutical ingredients, use in military equipment and use in the etching of semiconductor material or the cleaning of chemical vapour deposition chambers within the semiconductor manufacturing sector;

les quantités de chaque substance énumérée à l'annexe I et, le cas échéant, à l'annexe II, qu'il a mises sur le marché dans l'Union, en indiquant séparément les quantités mises sur le marché pour utilisation comme intermédiaire de synthèse, exportation directe, production d'inhalateurs doseurs destinés à l'administration de produits pharmaceutiques, utilisation dans des équipements militaires et utilisation pour la gravure de matériaux semi-conducteurs ou le nettoyage de chambres de dépôt en phase de vapeur par procédé chimique dans l ...[+++]


hydrofluorocarbons supplied directly by a producer or an importer to an undertaking using it for the etching of semiconductor material or the cleaning of chemicals vapour deposition chambers within the semiconductor manufacturing sector;

aux hydrofluorocarbones fournis directement par un producteur ou un importateur à une entreprise qui les utilise pour la gravure de matériaux semi-conducteurs ou le nettoyage de chambres de dépôt en phase de vapeur par procédé chimique dans l'industrie des semi-conducteurs;


copyright, neighbouring rights and rights covered by Council Directive 87/54/EEC of 16 December 1986 on the legal protection of topographies of semiconductor products and by Directive 96/9/EC of the European Parliament and of the Council of 11 March 1996 on the legal protection of databases , as well as industrial property rights.

aux droits d'auteur et droits voisins, aux droits visés par la directive 87/54/CEE du Conseil du 16 décembre 1986 concernant la protection juridique des topographies de produits semi-conducteurs et par la directive 96/9/CE du Parlement européen et du Conseil, du 11 mars 1996, concernant la protection juridique des bases de données ainsi qu'aux droits de propriété industrielle.


copyright, neighbouring rights, rights covered by Council Directive 87/54/EEC of 16 December 1986 on the legal protection of topographies of semiconductor products and by Directive 96/9/EC of the European Parliament and of the Council of 11 March 1996 on the legal protection of databases as well as industrial property rights;

aux droits d'auteur, droits voisins, aux droits visés par la directive 87/54/CEE du Conseil du 16 décembre 1986 concernant la protection juridique des topographies de produits semi-conducteurs et par la directive 96/9/CE du Parlement européen et du Conseil du 11 mars 1996, concernant la protection juridique des bases de données ainsi que les droits de propriété industrielle ;


Council Directive 87/54/EEC of 16 December 1986 on the legal protection of topographies of semiconductor products.

Directive 87/54/CEE du Conseil, du 16 décembre 1986, concernant la protection juridique des topographies de produits semi-conducteurs.


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