The operation of diffusion, in which integrated circuits are formed on a semi-conductor substrate by the selective introduction of an appropriate dopant, whether or not assembled and/or tested in a non-party

https://eur-lex.europa.eu/lega (...) (...) [HTML] [2013-11-24]

l’opération de diffusion, dans laquelle les circuits intégrés sont formés sur un support semi-conducteur, grâce à l’introduction sélective d’un dopant adéquat, qu’il soit ou non assemblé et/ou testé dans un pays tiers.

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8542 31 to 8542 33 and 8542 39 | Monolithic integrated circuits | Manufacture from materials of any heading, except that of the product or The operation of diffusion, in which integrated circuits are formed on a semi-conductor substrate by the selective introduction of an appropriate dopant, whether or not assembled and/or tested in a non-party | Manufacture in which the value of all the materials used does not exceed 45 % of the ex-works price of the product |

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) (...) [HTML] [2010-12-31]

8542 31 à 8542 33 et 8542 39 | Circuits intégrés monolithiques | Fabrication à partir de matières de toute position, à l'exclusion des matières de la même position que le produit ou l'opération de diffusion dans laquelle les circuits intégrés sont formés sur un support semi-conducteur, grâce à l'introduction sélective d'un dopant adéquat, qu'ils soient ou non assemblés et/ou testés dans un pays autre | Fabrication dans laquelle la valeur de toutes les matières utilisées ne doit pas excéder 45 % du prix départ usine du produit |

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– proximity cards and "smart cards" with two or more electronic integrated circuits | Manufacture in which: the value of all the materials used does not exceed 40 % of the ex-works price of the product, andwithin the above limit, the value of all the materials of headings 8541 and 8542 used does not exceed 10 % of the ex-works price of the productor The operation of diffusion, in which integrated circuits are formed on a semi-conductor substrate by the selective introduction of an appropriate dopant, whether or not assembled and/or tested in a country other ...[+++]

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) (...) [HTML] [2006-06-11]

– Cartes à déclenchement par effet de proximité et cartes à puce comportant deux circuits électroniques intégrés ou davantage | Fabrication dans laquelle: la valeur de toutes les matières utilisées ne doit pas excéder 40 % du prix départ usine du produit, etdans la limite indiquée ci-dessus, la valeur de toutes les matières des nos8541 et 8542 utilisées ne doit pas excéder 10 % du prix départ usine du produitou Opération de diffusion dans laquelle les circuits intégrés sont formés sur un support semi conducteur, grâce à l’introduction sélective d’un dopant adéquat, qu’ils soient ou non assemblés et/ou testés dans un pays autre que ceux v ...[+++]

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http://eur-lex.europa.eu/legal (...) [HTML] [2006-06-11]

– Monolithic integrated circuits | Manufacture in which: the value of all the materials used does not exceed 40 % of the ex-works price of the product, andwithin the above limit, the value of all the materials of headings 8541 and 8542 used does not exceed 10 % of the ex-works price of the productor The operation of diffusion, in which integrated circuits are formed on a semi-conductor substrate by the selective introduction of an appropriate dopant, whether or not assembled and/or tested in a country or territory other than those spe ...[+++]

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) (...) [HTML] [2006-06-11]

– Circuits intégrés monolithiques | Fabrication dans laquelle: la valeur de toutes les matières utilisées ne doit pas excéder 40 % du prix départ usine du produit, etdans la limite indiquée ci-dessus, la valeur de toutes les matières des nos8541 et 8542 utilisées ne doit pas excéder 10 % du prix départ usine du produitou Opération de diffusion dans laquelle les circuits intégrés sont formés sur un support semi conducteur, grâce à l’introduction sélective d’un dopant adéquat, qu’ils soient ou non assemblés et/ou testés dans un pays ou territoire autre que ceux visés aux articles 3 et 4 | Fabrication dans laquelle la valeur de toutes les m ...[+++]

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b. For testing integrated circuits capable of performing functional (truth table) testing at a 'pattern rate' of more than 333 MHz;

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) (...) [HTML] [2002-12-31]

b. pour le test de circuits intégrés capables d'exécuter des essais de base (table de vérité) à une 'cadence de signal' supérieure à 333 MHz;

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) (...) [HTML] [2002-12-31]

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) [HTML] [2002-12-31]

b. For testing integrated circuits capable of performing functional (truth table) testing at a "pattern rate" of more than 333 MHz;

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) (...) [HTML] [2000-12-31]

b. pour le test de circuits intégrés capables d'exécuter des essais de base (table de vérité) à une "cadence de signal" supérieure à 333 MHz;

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) (...) [HTML] [2000-12-31]

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) [HTML] [2000-12-31]

Three major stages (assembly, testing and diffusion) have been identified in the manufacture of integrated circuits and it has been determined that the diffusion stage is the most sophisticated and difficult from the technical point of view and requires the largest research input.

http://europa.eu/rapid/press-r (...) (...) [HTML]

Trois stades importants de fabrication de circuits intégrés ont été recensés (l'assemblage, le contrôle technique et la diffusion) et il a été établi que le stade de diffusion est techniquement le plus complexe, le plus difficile et celui qui implique les plus importants investissements de recherche.

http://europa.eu/rapid/press-r (...) (...) [HTML]

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