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Thirty-twomo
Tricesimo-secundo

Traduction de «mos memory » (Anglais → Français) :

TERMINOLOGIE
voir aussi les traductions en contexte ci-dessous
MOS memory | metal-oxide semiconductor memory

mémoire MOS




metal-oxide semiconductor memory [ MOS memory ]

mémoire MOS


MOS RAM [ MOS random access memory ]

moire MOS à accès aléatoire


magneto-optical disk [ MO disk | magneto-optical disc | magneto-optic disk | magneto-optic disc | MO disc | M-O disk | M-O disc | CD-Magneto Optical | CD-MO | CD-MO disc ]

disque magnéto-optique [ DMO | disque magnétoscopique ]


collective memory [ common memory | cultural memory | historical memory | national memory | public memory | social memory ]

mémoire collective [ lieu de mémoire | mémoire culturelle | mémoire historique | mémoire populaire | mémoire publique | mémoire sociale | souvenir collectif ]


episodic memory | immediate memory | one-shot memory | short-term memory

mémoire épisodique | mémoire immédiate


MOS digital element | MOS switch | MOS switching transistor | switching MOST

transistor MOS de commutation




tricesimo-secundo | thirty-twomo | thirty-two-mo | 32 mo

in-trente-deux | in 32
TRADUCTIONS EN CONTEXTE
The product under review is certain electronic integrated circuits known as Dynamic Random Access Memories (DRAMs) manufactured using variations of metal oxide-semiconductors (MOS) process technology, including complementary MOS types (CMOS), of all types, densities, variations, access speed, configuration, package or frame, etc. originating in the Republic of Korea (‘the product concerned’).

Les produits faisant l'objet du réexamen sont certains circuits électroniques intégrés dits «DRAM» (dynamic random access memories — mémoires dynamiques à accès aléatoire), fabriqués à l'aide de variantes du procédé métal-oxyde-semi-conducteur (MOS), y compris certains types de MOS complémentaire (CMOS), de tous types, densités et variantes, quels que soient leur vitesse d'accès, leur configuration, leur mode de conditionnement ou leur support, etc., originaires de la République de Corée (ci-après dénommés «produit concerné»).


The product under consideration and the like product are the same as that covered by the original investigation, i.e. certain electronic microcircuits known as dynamic random access memories (DRAMs), of all types, densities and variations, whether assembled, in processed wafer or chips (dies), manufactured using variations of metal oxide-semiconductors (MOS) process technology, including complementary MOS types (CMOS), of all densities (including future densities), irrespective of access speed, configuration, package or frame etc., originating in the Republic of Korea.

Les produits considérés et les produits similaires sont les mêmes que lors de l'enquête initiale, à savoir certains types de microcircuits électroniques dits «DRAM» (dynamic random access memories — mémoires dynamiques à accès aléatoire), de tous types, densités (y compris les densités non encore existantes) et variantes, assemblés ou non, sous forme de disques ou de microplaquettes transformés, fabriqués à l'aide de variantes du procédé métal-oxyde-semi-conducteur (MOS), y compris certains types de MOS complémentaire (CMOS), quels qu ...[+++]


2. The Product The products under investigation are certain types of microcircuits known as dynamic random access memories (DRAMs) whether assembled, in processed wafer or die form of all MOS technologies and all densities irrespective of technical properties.

2. Produit Les produits faisant l'objet de l'enquête sont certains types de microstructures électroniques dites "DRAM" (dynamic random access memories), qu'ils soient assemblés sous la forme de disques ou de microplaquettes traités, et faisant appel à toutes les technologies de fabrication MOS et de toutes densités quelles que soient leurs caractéristiques techniques.


The products investigated are certain types of microcircuits known as dynamic random access memories (DRAMs) either in - processed wafer of die form, or - assembled and tested, or in - multicombinational forms such as DRAM-modules, of all MOS technologies and all densities irrespective of differences in configuration, package or access time.

Les produits qui ont fait l'objet de l'enquête sont certains types de micro-circuits électroniques appelés mémoires dynamiques à accès aléatoire (DRAM), qu'ils aient la forme de disques ou de micro-plaquettes usinés, qu'ils soient assemblés et testés, ou transformés en modules de différentes configurations; ils sont réalisés selon toutes les variantes de la technologie MOS et dans toutes les densités, quels que soient leur vitesse d'accès, leur configuration et leur boîtier.




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'mos memory' ->

Date index: 2022-05-14
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