The operation of diffusion, in which integrated circuits are formed on a semi-conductor substrate by the selective introduction of an appropriate dopant, whether or not assembled and/or tested in a non-party

https://eur-lex.europa.eu/lega (...) (...) [HTML] [2013-11-24]

l’opération de diffusion, dans laquelle les circuits intégrés sont formés sur un support semi-conducteur, grâce à l’introduction sélective d’un dopant adéquat, qu’il soit ou non assemblé et/ou testé dans un pays tiers.

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8542 31 to 8542 33 and 8542 39 | Monolithic integrated circuits | Manufacture from materials of any heading, except that of the product or The operation of diffusion, in which integrated circuits are formed on a semi-conductor substrate by the selective introduction of an appropriate dopant, whether or not assembled and/or tested in a non-party | Manufacture in which the value of all the materials used does not exceed 45 % of the ex-works price of the product |

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) (...) [HTML] [2010-12-31]

8542 31 à 8542 33 et 8542 39 | Circuits intégrés monolithiques | Fabrication à partir de matières de toute position, à l'exclusion des matières de la même position que le produit ou l'opération de diffusion dans laquelle les circuits intégrés sont formés sur un support semi-conducteur, grâce à l'introduction sélective d'un dopant adéquat, qu'ils soient ou non assemblés et/ou testés dans un pays autre | Fabrication dans laquelle la valeur de toutes les matières utilisées ne doit pas excéder 45 % du prix départ usine du produit |

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– proximity cards and "smart cards" with two or more electronic integrated circuits | Manufacture in which: the value of all the materials used does not exceed 40 % of the ex-works price of the product, andwithin the above limit, the value of all the materials of headings 8541 and 8542 used does not exceed 10 % of the ex-works price of the productor The operation of diffusion, in which integrated circuits are formed on a semi-conductor substrate by the selective introduction of an appropriate dopant, whether or not assembled and/or tested in a country other ...[+++]

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) (...) [HTML] [2006-06-11]

– Cartes à déclenchement par effet de proximité et cartes à puce comportant deux circuits électroniques intégrés ou davantage | Fabrication dans laquelle: la valeur de toutes les matières utilisées ne doit pas excéder 40 % du prix départ usine du produit, etdans la limite indiquée ci-dessus, la valeur de toutes les matières des nos8541 et 8542 utilisées ne doit pas excéder 10 % du prix départ usine du produitou Opération de diffusion dans laquelle les circuits intégrés sont formés sur un support semi conducteur, grâce à l’introduction sélective d’un dopant adéquat, qu’ils soient ou non assemblés et/ou testés dans un pays autre que ceux v ...[+++]

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– Monolithic integrated circuits | Manufacture in which: the value of all the materials used does not exceed 40 % of the ex-works price of the product, andwithin the above limit, the value of all the materials of headings 8541 and 8542 used does not exceed 10 % of the ex-works price of the productor The operation of diffusion, in which integrated circuits are formed on a semi-conductor substrate by the selective introduction of an appropriate dopant, whether or not assembled and/or tested in a country or territory other than those spe ...[+++]

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– Circuits intégrés monolithiques | Fabrication dans laquelle: la valeur de toutes les matières utilisées ne doit pas excéder 40 % du prix départ usine du produit, etdans la limite indiquée ci-dessus, la valeur de toutes les matières des nos8541 et 8542 utilisées ne doit pas excéder 10 % du prix départ usine du produitou Opération de diffusion dans laquelle les circuits intégrés sont formés sur un support semi conducteur, grâce à l’introduction sélective d’un dopant adéquat, qu’ils soient ou non assemblés et/ou testés dans un pays ou territoire autre que ceux visés aux articles 3 et 4 | Fabrication dans laquelle la valeur de toutes les m ...[+++]

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