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Critical film thickness
Full film lubrication
Multi-layer thick-film interconnection circuit
Thick film
Thick film circuit
Thick film lubrication
Thick film microwave microelectronics
Thick film printed resistor
Thick film technology
Thick layer
Thick-film circuit
Thick-film hybrid circuit
Thick-film hybrid integrated circuit
Thick-film hybrid microcircuit
Thick-film interconnection
Thick-film lubrication
Thick-film technology

Traduction de «thick film » (Anglais → Français) :

TERMINOLOGIE
voir aussi les traductions en contexte ci-dessous
thick film circuit [ thick-film hybrid circuit | thick-film hybrid integrated circuit ]

circuit à couches épaisses [ circuit hybride à couches épaisses ]


thick film lubrication [ thick-film lubrication | full film lubrication ]

lubrification par film épais [ graissage par film épais ]


thick film technology [ thick-film technology ]

technologie des couches épaisses [ technologie des films épais ]


thick film printed resistor

résistance imprimée à couche épaisse


thick film microwave microelectronics

microélectronique hyperfréquence réalisée en couches épaisses


multi-layer thick-film interconnection circuit | thick-film interconnection

circuit à interconnexion à plusieurs niveaux en couches épaisses


thick-film hybrid integrated circuit | thick-film hybrid microcircuit

circuit intégré hybride en couche épaisse






TRADUCTIONS EN CONTEXTE
3.2. Capillary column (e.g. in fused silica, coated with OV 1, film thickness of 0,15 µ, length 25 m and internal diameter of 0,3 mm).

3.2. Colonne capillaire (par exemple: silice fondue, OV 1, épaisseur du film 0,15 µ, longueur 25 m, diamètre intérieur 0,3 mm).


Opaque’ means a film with a contrast ratio of > 98 % at 120μ wet film thickness.

film «opaque», un feuil dont le rapport de contraste est > 98 % pour une épaisseur de feuil humide de 120μ.


The substitution of cadmium and cadmium oxide in thick film pastes used on aluminium bonded beryllium oxide is currently not practicable.

Il est actuellement impossible de remplacer le cadmium et l’oxyde de cadmium dans les pâtes pour couches épaisses utilisées sur l’oxyde de béryllium allié à l’aluminium.


Cadmium and cadmium oxide in thick film pastes used on aluminium bonded beryllium oxide’.

Le cadmium et l’oxyde de cadmium dans les pâtes pour couches épaisses utilisées sur l’oxyde de béryllium allié à l’aluminium».


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Cadmium and cadmium oxide in thick film pastes used on aluminium bonded beryllium oxide’.

Le cadmium et l’oxyde de cadmium dans les pâtes pour couches épaisses utilisées sur l’oxyde de béryllium allié à l’aluminium».


The substitution of cadmium and cadmium oxide in thick film pastes used on aluminium bonded beryllium oxide is currently not practicable.

Il est actuellement impossible de remplacer le cadmium et l’oxyde de cadmium dans les pâtes pour couches épaisses utilisées sur l’oxyde de béryllium allié à l’aluminium.


Thin-or thick-film circuits comprising passive and active elements obtained during the same technological process are to be classified in heading No .

Les circuits à couche (mince ou épaisse) comportant des éléments passifs et actifs obtenus au cours du même processus technologique relèvent du n° .


The main Objective of the Action is to improve the physical and electronic properties of advanced electroceramics and thick films produced by chemical, physical and mechanical synthesis techniques focusing on the polymeric precursors, sol-gel, spray pyrolysis, microemulsion, ultrasonic and freeze-drying methods.

Cette action a pour principal objectif d'améliorer les propriétés physiques et électroniques des matériaux électrocéramiques et des couches épaisses avancés qui sont produits au moyen de techniques de synthèse chimique, physique ou mécanique centrées sur des méthodes faisant appel aux précurseurs polymériques, aux procédés sol-gel, à la pyrolyse en phase liquide, aux micro-émulsions, aux ultrasons et à la lyophilisation.


Thin or thick-film circuits comprising passive and active elements obtained during the same technological process are to be classified within heading No 85.42.

Les circuits à couche (mince ou épaisse) comportant des éléments passifs et actifs obtenus au cours du même processus technologique relèvent du no 85.42.


(b) Hybrid integrated circuits in which passive elements (resistors, capacitors, interconnections, etc.), obtained by thin-or thick-film technology, and active elements (diodes, transistors, monolithic integrated circuits, etc.), obtained by semiconductor technology, are combined to all intents and purposes indivisibly, on a single insulating substrate (glass, ceramic, etc.).

b) les circuits intégrés hybrides réunissant, de façon pratiquement indissociable, sur un même substrat isolant (verre, céramique, etc.) des éléments passifs (résistances, capacités, interconnexions, etc.), obtenus par la technologie des circuits à couche mince ou épaisse et des éléments actifs (diodes, transistors, circuits intégrés monolithiques, etc.) obtenus par la technologie des semi-conducteurs.


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