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Champ de modules photovoltaïques
Champ de panneaux photovoltaïques
Champs d'action d'un module
Module amorphe
Module de piles photovoltaïques
Module photovoltaïque
Module photovoltaïque amorphe
Module photovoltaïque au silicium cristallin
Module solaire
Module solaire photovoltaïque
Panneau de cellules solaires
Panneau photovoltaïque
Panneau solaire
Panneau solaire photovoltaïque
Panneaux de cellules solaires à dispositif de poursuite

Traduction de «Champ de modules photovoltaïques » (Français → Anglais) :

TERMINOLOGIE
voir aussi les traductions en contexte ci-dessous
champ de modules photovoltaïques | champ de panneaux photovoltaïques

photovoltaic array | solar cell array


champ de modules photovoltaïques à dispositif de poursuite [ panneaux de cellules solaires à dispositif de poursuite ]

tracking array [ PV tracking array | photovoltaic tracking array ]


panneau solaire photovoltaïque | panneau solaire | panneau photovoltaïque | module solaire photovoltaïque | module solaire | module photovoltaïque | panneau de cellules solaires

solar panel | photovoltaic panel | PV panel | solar module | photovoltaic module | PV module | photovoltaic solar panel | solar-cell panel


module photovoltaïque | module solaire photovoltaïque

photovoltaic module | photovoltaic solar module | solar module


module photovoltaïque [ module de piles photovoltaïques | module solaire ]

photovoltaic module [ PV module | solar cell module ]


module photovoltaïque amorphe [ module amorphe ]

amorphous photovoltaic module [ amorphous silicon module | amorphous module ]


module photovoltaïque au silicium cristallin

crystalline silicon photovoltaic module


champs d'action d'un module

scope of control of a module
TRADUCTIONS EN CONTEXTE
En 2003, le secteur photovoltaïque a produit environ 740 MWp de modules photovoltaïques dans le monde entier.

In 2003, the photovoltaic industry produced some 740 MWp of photovoltaic modules world-wide, and it has become a 4 bill.


Au cours des vingt dernières années, le prix des systèmes photovoltaïques a diminué dans le monde entier, sous l'effet de l'évolution des technologies et des marchés. Le coût des modules photovoltaïques a fortement chuté (division par trois en deux ans)[6].

Over the last two decades Photovoltaic (PV) system prices have decreased all over the world, significantly driven by technology and market developments. The cost of PV modules decreased sharply (by 3 times in two years)[6].


Diodes, transistors et dispositifs similaires à semi-conducteur; dispositifs photosensibles à semi-conducteur, y compris les cellules photovoltaïques même assemblées en modules ou constituées en panneaux (sauf génératrices photovoltaïques); diodes émettrices de lumière; cristaux piézo-électriques montés, et leurs parties

Diodes, transistors and similar semiconductor devices; photosensitive semiconductor devices, incl. photovoltaic cells whether or not assembled in modules or made up into panels (excl. photovoltaic generators); light emitting diodes, mounted piezoelectric crystals; parts thereof


Le 6 septembre 2012, la Commission européenne (ci-après la «Commission») a annoncé, par un avis publié au Journal officiel de l’Union européenne (3), l’ouverture d’une procédure antidumping concernant les importations de modules photovoltaïques en silicium cristallin et leurs composants essentiels (cellules et wafers) originaires de la République populaire de Chine (ci-après la «Chine» ou le «pays concerné») à la suite d’une plainte déposée le 25 juillet 2012 par EU ProSun (ci-après le «plaignant») au nom de producteurs représentant plus de 25 % de la production totale de modules photovoltaïques ...[+++]

On 6 September 2012, the European Commission (‘the Commission’) announced by a notice published in the Official Journal of the European Union (3), the initiation of an anti-dumping proceeding concerning imports of crystalline silicon photovoltaic modules and key components (i.e. cells and wafers) originating in the People’s Republic of China (‘China’ or ‘the country concerned’) following a complaint lodged on 25 July 2012 by EU ProSun (‘the complainant’) on behalf of producers representing more than 25 % of the total Union production of crystalline silicon photovoltaic modules ...[+++]


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Le 8 novembre 2012, la Commission européenne a annoncé, par un avis publié au Journal officiel de l’Union européenne (4), l’ouverture d’une procédure antisubventions concernant les importations de modules photovoltaïques en silicium cristallin et leurs composants essentiels (cellules et wafers) originaires de la République populaire de Chine à la suite d’une plainte déposée le 25 septembre 2012 par EU ProSun au nom de producteurs représentant plus de 25 % de la production totale de modules photovoltaïques en silicium cristallin et de ...[+++]

On 8 November 2012, the Commission announced by a notice published in the Official Journal of the European Union (4) the initiation of an anti-subsidy proceeding concerning imports of crystalline silicon photovoltaic modules and key components (i.e. cells and wafers) originating in China following a complaint lodged on 25 September 2012 by EU ProSun on behalf of producers representing more than 25 % of the total Union production of crystalline silicon photovoltaic modules and key components (i.e. cells and wafers).


Bien qu’il soit probable que l’institution de droits antidumping donne lieu à une certaine hausse de prix des modules photovoltaïques sur le marché de l’Union, il est probable que les consommateurs et les autres utilisateurs finals n’en ressentent les effets que dans une mesure limitée puisque l’enquête a montré que le prix d’un module représentait jusqu’à 50 % du coût total d’une installation photovoltaïque.

While as a result of duties the prices of PV modules in the EU market could be expected to rise somewhat, it is likely that the consumers and other end-users would be affected only to a limited extent because the investigation revealed that the price of a module represents up to 50 % of the total costs of a PV installation.


Par produit concerné, il faut entendre les modules photovoltaïques en silicium cristallin ou les panneaux, cellules et wafers du type utilisé dans les modules ou panneaux photovoltaïques en silicium cristallin, originaires ou en provenance de la République populaire de Chine.

The product concerned is crystalline silicon PV modules or panels and cells and wafers of the type used in crystalline silicon PV modules or panels, originating in or consigned from the PRC.


Diodes, transistors et dispositifs similaires à semi-conducteur; dispositifs photosensibles à semi-conducteur, y compris les cellules photovoltaïques même assemblées en modules ou constituées en panneaux (sauf génératrices photovoltaïques); diodes émettrices de lumière; cristaux piézo-électriques montés, et leurs parties

Diodes, transistors and similar semiconductor devices; photosensitive semiconductor devices, incl. photovoltaic cells whether or not assembled in modules or made up into panels (excl. photovoltaic generators); light emitting diodes, mounted piezoelectric crystals; parts thereof


Les produits soumis à la présente enquête sont les modules photovoltaïques en silicium cristallin ou les panneaux, cellules et wafers du type utilisé dans les modules ou panneaux photovoltaïques en silicium cristallin.

The product subject to this investigation is crystalline silicon photovoltaic modules or panels and cells and wafers of the type used in crystalline silicon photovoltaic modules or panels.


En ce qui concerne les valeurs de crête des champs électromagnétiques puisés modulés, il est également suggéré que, pour les fréquences porteuses supérieures à 10 MHz, la valeur moyenne de Seq pour la durée de l'impulsion ne devrait pas dépasser 1 000 fois les valeurs déclenchant l'action pour Seq ou que les intensités de champ ne devraient pas dépasser 32 fois les valeurs déclenchant l'action pour les intensités de champ concernant la fréquence porteuse.

For peak values of pulsed modulated electromagnetic fields, it is also suggested that, for carrier frequencies exceeding 10 MHz, Seq as averaged over the pulse width should not exceed 1 000 times the Seq action values or that the field strength should not exceed 32 times the field strength action values for the carrier frequency.


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