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Bombardement cathodique
Dépôt par pulvérisation cathodique
Dépôt par vaporisation en mode Osprey
Formage par projection
Procédé Osprey
Procédé de dépôt par pulvérisation
Pulvérisation
Pulvérisation cathodique
Pulvérisation cathodique réactive
Pulvérisation de la cathode
Pulvérisation par bombardement ionique
Pulvérisation réactive
évaporation cathodique

Traduction de «Dépôt par pulvérisation cathodique » (Français → Anglais) :

TERMINOLOGIE
voir aussi les traductions en contexte ci-dessous
dépôt par pulvérisation cathodique

sputter deposition


pulvérisation cathodique | pulvérisation par bombardement ionique

sputtering


pulvérisation cathodique | pulvérisation de la cathode

cathode sputtering


pulvérisation cathodique | bombardement cathodique

cathode sputtering | sputtering | cathodic sputtering | sputter coating


pulvérisation cathodique réactive [ pulvérisation réactive ]

reactive sputtering [ reactive cathode sputtering ]


pulvérisation cathodique

cathode sputtering [ sputtering ]


cellule photovoltaïque au silicium amorphe obtenue par pulvérisation cathodique réactive

reactivity evaporated amorphous silicon photovoltaic cell


procédé de dépôt par pulvérisation | procédé Osprey | dépôt par vaporisation en mode Osprey | formage par projection

spray deposition process | Osprey process | Osprey spray deposition process | spray deposition in the Osprey mode | spray forming | spray casting | spray deposition


pulvérisation de la cathode | évaporation cathodique | pulvérisation

cathode sputtering | cathodic sputtering | sputtering
TRADUCTIONS EN CONTEXTE
Bien qu’à l’heure actuelle le mercure utilisé comme inhibiteur à pulvérisation cathodique dans les écrans plasma DC contenant un maximum de 30 mg par écran ne puisse pas être techniquement remplacé, cela devrait être possible à partir du 1er juillet 2010.

Substitution for mercury used as a cathode sputtering inhibitor in DC plasma displays with content of up to 30 mg per display is currently technically impracticable, but should be practicable by 1 July 2010.


Le mercure utilisé comme inhibiteur à pulvérisation cathodique dans les écrans plasma DC contenant un maximum de 30 mg par écran jusqu’au 1er juillet 2010.

Mercury used as a cathode sputtering inhibitor in DC plasma displays with a content up to 30 mg per display until 1 July 2010.


Premièrement, la préparation d’un plan général de pulvérisation aérienne, qui sera soumis à l’approbation expresse des autorités, suivie du dépôt de demandes spéciales individuelles de pulvérisation aérienne, qui dépendra des conditions auxquelles le plan général a été approuvé.

Firstly, the preparation of a general aerial spraying plan, which will be subject to express approval by the authorities, followed by the submission of special individual requests for aerial spraying, which will be subject to the conditions on which the general plan was approved.


Le tableau se réfère uniquement au dépôt par triode, par magnétron ou par pulvérisation cathodique, qui est utilisé pour augmenter l'adhérence du revêtement et la vitesse de dépôt, et au dépôt par pulvérisation cathodique amélioré par radiofréquence, utilisé pour permettre la vaporisation de matériaux de revêtement non métalliques.

The Table refers only to triode, magnetron or reactive sputter deposition which is used to increase adhesion of the coating and rate of deposition and to radio frequency (RF) augmented sputter deposition used to permit vaporisation of non-metallic coating materials.


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Le paragraphe 2B005 ne vise pas les équipements pour le dépôt chimique en phase vapeur, pour le dépôt par arc cathodique, pour le dépôt par pulvérisation cathodique, pour le placage ionique ou pour l'implantation ionique, spécialement conçus pour outils de coupe ou d'usinage.

2B005 does not control chemical vapour deposition, cathodic arc, sputter deposition, ion plating or ion implantation equipment specially designed for cutting or machining tools.


e. equipements de production à "commande par programme enregistré" pour le dépot par pulvérisation cathodique pouvant avoir des densités de courant égales ou supérieures 0,1 mA/mm2 à une vitesse de dépot égale ou supérieure à 15 µm/heure;

e". Stored programme controlled" sputter deposition production equipment capable of current densities of 0,1 mA/mm2 or higher at a deposition rate of 15 µm/h or more;


Cela comprend les procédés dans lesquels l'implantation ionique est effectuée en même temps que le dépôt en phase vapeur par procédé physique par faisceau d'électrons ou le dépôt par pulvérisation cathodique.

This includes processes in which ion implantation is performed simultaneously with electron beam physical vapour deposition or sputter deposition.


e. equipements de production à "commande par programme enregistré" pour le dépot par pulvérisation cathodique pouvant avoir des densités de courant égales ou supérieures 0,1 mA/mm³ à une vitesse de dépot égale ou supérieure à 15 µm/heure;

e". Stored programme controlled" sputter deposition production equipment capable of current densities of 0,1 mA/mm² or higher at a deposition rate of 15 µm/h or more;


Dans la mesure où leur fonction le permet, les machines doivent, lorsque cela s'avère possible, être conçues et construites avec un dispositif comportant un tunnel de pulvérisation afin d'assurer un dépôt plus précis des pesticides.

Insofar as its purpose allows, machinery must, where possible, be designed and constructed with tunnel spraying equipment to ensure a more precise deposition of the pesticide.


Dans la mesure où leur fonction le permet, les machines doivent, lorsque cela s'avère possible, être conçues et construites avec un dispositif de pulvérisation à jet porté afin d'assurer un dépôt plus précis des pesticides.

Insofar as its purpose allows, machinery must, where possible, be designed and constructed with air-assisted spraying equipment to ensure a more precise deposition of the pesticide.




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Dépôt par pulvérisation cathodique ->

Date index: 2022-02-10
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