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Attaque par faisceau d'ion
Canal ionique activé par des récepteurs
Canal ionique dépendant d'un récepteur
Canal ionique ligand-dépendant
Canal ionique récepteur-dépendant
Canal ionique sensible à un ligand
Dépôt et gravure ionique réactifs
GIR
Gravure ionique
Gravure ionique réactive
Gravure ionique réactive profonde
Gravure par ions réactifs
Gravure profonde par ions réactifs
Moteur ionique
Moteur à ions
Moteur à propulsion ionique
Opérateur en gravure
Opératrice en gravure
Propulseur ionique

Traduction de «Gravure ionique » (Français → Anglais) :

TERMINOLOGIE
voir aussi les traductions en contexte ci-dessous
dépôt et gravure ionique réactifs

reactive ion deposition and etching | RIDE,reactive ion processes are an extension of sputtering processes in that the inert gas used for generating the plasma is replaced by a gas that reacts with the material to be deposited or etched [Abbr.]


gravure ionique réactive | GIR [Abbr.]

reactive ion etching | RIE [Abbr.]






gravure profonde par ions réactifs | gravure ionique réactive profonde

deep reactive-ion etching | DRIE


gravure par ions réactifs | gravure ionique réactive

reactive-ion etching | RIE


attaque par faisceau d'ion [ gravure ionique ]

ion beam etching


canal ionique sensible à un ligand | canal ionique dépendant d'un récepteur | canal ionique activé par des récepteurs | canal ionique contrôlé par interaction ligand-récepteur | canal ionique récepteur-dépendant | canal ionique ligand-dépendant

ligand-gated ion channel | ligand-gated channel | receptor-operated ion channel | receptor operated channel | ROC | chemically activated ion channel


opératrice en gravure | opérateur en gravure | opérateur en gravure/opératrice en gravure

engraving press operator | rotogravure printing machine tender | gravure press operator | gravure press technician


moteur à ions | moteur à propulsion ionique | moteur ionique | propulseur ionique

ion thruster
TRADUCTIONS EN CONTEXTE
(6) Un changement aux machines-outils travaillant par enlèvement de toute matière et opérant par procédés électrochimiques, par faisceaux d’électrons, par faisceaux ioniques ou par jet de plasma pour la gravure à sec du tracé sur les matières semi-conductrices de la sous-position 8486.20 de tout autre produit de la sous-position 8486.20 ou de toute autre position, sauf de la position 84.56 ou de plus d’un des éléments suivants :

(6) A change to machine-tools for working any material by removal of material by electro-chemical, electron beam, ionic-beam or plasma arc processes for dry-etching patterns on semiconductor materials of subheading 8486.20 from any other good of subheading 8486.20 or any other heading, except from heading 84.56 or more than one of the following:


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