(23) Un changement aux appareils d’implantation ionique pour doper les matières semi-conductrices de la sous-position 8486.20 de tout autre produit de la sous-position 8486.20 ou de toute autre position, sauf des autres machines et appareils électriques ayant une fonction propre de la sous-position 8486.20 ou de la position 85.43; ou

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(23) A change to ion implanters for doping semiconductor materials of subheading 8486.20 from any other good of subheading 8486.20 or any other heading, except from other electrical machinery and apparatus having individual functions of subheading 8486.20 or heading 85.43; or

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(12) Un changement aux parties des appareils d’implantation ionique pour doper les matières semi-conductrices ou d’autres machines électriques et parties d’appareils ayant une fonction propre de la sous-position 8486.90 de tout autre produit de la sous-position 8486.90 ou de toute autre position, sauf de la position 85.43; ou

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(12) A change to parts of ion implanters for doping semiconductor materials or other electrical machinery and parts of apparatus having individual functions of subheading 8486.90 from any other good of subheading 8486.90 or any other heading, except from heading 85.43; or

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(26) Un changement aux autres machines et appareils électriques ayant une fonction propre de la sous-position 8486.20 de la sous-position 8486.90, qu’il y ait ou non également un changement de tout autre produit de la sous-position 8486.20 ou de toute autre position, sauf des appareils d’implantation ionique pour doper les matières semi-conductrices de la sous-position 8486.20 ou de la position 85.43, à la condition que la teneur en valeur régionale ne soit pas inférieure à :

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(26) A change to other electrical machinery and apparatus having individual functions of subheading 8486.20 from subheading 8486.90, whether or not there is also a change from any other good of subheading 8486.20 or any other heading, except from ion implanters for doping semiconductor materials of subheading 8486.20 or heading 85.43, provided there is a regional value content of not less than:

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(25) Un changement aux autres machines et appareils électriques ayant une fonction propre de la sous-position 8486.20 de tout autre produit de la sous-position 8486.20 ou de toute autre position, sauf des appareils d’implantation ionique pour doper les matières semi-conductrices de la sous-position 8486.20 ou de la position 85.43; ou

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(25) A change to other electrical machinery and apparatus having individual functions of subheading 8486.20 from any other good of subheading 8486.20 or any other heading, except from ion implanters for doping semiconductor materials of subheading 8486.20 or heading 85.43; or

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(24) Un changement aux appareils d’implantation ionique pour doper les matières semi-conductrices de la sous-position 8486.20 de la sous-position 8486.90, qu’il y ait ou non également un changement de tout autre produit de la sous-position 8486.20 ou de toute autre position, sauf des autres machines et appareils électriques ayant une fonction propre de la sous-position 8486.20 ou de la position 85.43, à la condition que la teneur en valeur régionale ne soit pas inférieure à :

http://laws-lois.justice.gc.ca (...) (...) [HTML] [2014-09-26]

(24) A change to ion implanters for doping semiconductor materials of subheading 8486.20 from subheading 8486.90, whether or not there is also a change from any other good of subheading 8486.20 or any other heading, except from other electrical machinery and apparatus having individual functions of subheading 8486.20 or heading 85.43, provided there is a regional value content of not less than:

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g. L'implantation ionique est un procédé de revêtement par modification de surface par lequel l'élément à allier est ionisé, accéléré par un gradient de potentiel et implanté dans la zone superficielle du substrat.

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) (...) [HTML] [2003-01-26]

g. Ion Implantation is a surface modification coating process in which the element to be alloyed is ionised, accelerated through a potential gradient and implanted into the surface region of the substrate.

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) (...) [HTML] [2003-01-26]

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) [HTML] [2003-01-26]

g) L'implantation ionique est un procédé de revêtement par modification de surface par lequel l'élément à allier est ionisé, accéléré par un gradient de potentiel et implanté dans la zone superficielle du substrat.

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) (...) [HTML] [2001-11-19]

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) [HTML] [2001-11-19]

Le paragraphe 2B005 ne vise pas les équipements pour le dépôt chimique en phase vapeur, pour le dépôt par arc cathodique, pour le dépôt par pulvérisation cathodique, pour le placage ionique ou pour l'implantation ionique, spécialement conçus pour outils de coupe ou d'usinage.

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) (...) [HTML] [2003-01-26]

2B005 does not control chemical vapour deposition, cathodic arc, sputter deposition, ion plating or ion implantation equipment specially designed for cutting or machining tools.

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) (...) [HTML] [2003-01-26]

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) [HTML] [2003-01-26]

Cela comprend les procédés dans lesquels l'implantation ionique est effectuée en même temps que le dépôt en phase vapeur par procédé physique par faisceau d'électrons ou le dépôt par pulvérisation cathodique.

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) (...) [HTML] [2003-01-26]

This includes processes in which ion implantation is performed simultaneously with electron beam physical vapour deposition or sputter deposition.

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) (...) [HTML] [2003-01-26]

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) [HTML] [2003-01-26]

b. équipements de production à "commande par programme enregistré" pour l'implantation ionique, ayant des courants du faisceau de 5 mA ou plus;

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) (...) [HTML] [2003-01-26]

b". Stored programme controlled" ion implantation production equipment having beam currents of 5 mA or more;

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) (...) [HTML] [2003-01-26]

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