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Diode luminescente au phosphure et arséniure de gallium
Laser à InGaAsP
Laser à arséniure de gallium à puits quantiques
Laser à indium gallium arséniure phosphure
Laser à l'arséniure de gallium
Laser à l'arséniure de gallium et d'aluminium
Phosphure d'arsénic indium-gallium

Traduction de «Laser à indium gallium arséniure phosphure » (Français → Anglais) :

TERMINOLOGIE
voir aussi les traductions en contexte ci-dessous
laser à indium gallium arséniure phosphure [ laser à InGaAsP ]

Indium gallium arsenide phosphide laser [ InGaAsP laser ]


phosphure d'arsénic indium-gallium

indium gallium arsenic phosphide


laser à arséniure de gallium à puits quantiques

gallium arsenide quantum well laser [ GaAs quantum well laser ]


laser à l'arséniure de gallium et d'aluminium

aluminium gallium arsenide laser




alliage quaternaire phosphure arséniure d'indium et de gallium

quaternary alloy indium gallium arsenic phosphide


diode luminescente au phosphure et arséniure de gallium

gallium-arsenide-phosphide lamp


laser semiconducteur à l'arséniure de gallium/aluminium

Al Ga As type semiconductor laser | diode laser | laser diode | injected laser
TRADUCTIONS EN CONTEXTE
Les technologies émergentes qui sont les principaux moteurs de la demande de matières premières critiques sont l’oxyde d’antimoine et d’étain et les microcondensateurs pour l’antimoine, les batteries ion lithium et les carburants de synthèse pour le cobalt, les cellules photovoltaïques en couches minces, les circuits intégrés et les diodes électroluminescentes blanches pour le gallium, les câbles à fibres optiques et les technologies optiques infrarouges pour le germanium, les écrans d’affichage et les cellules photovoltaïques en couches minces pour l’indium, les pile ...[+++]

The main driving emerging technologies for the critical raw materials are antimony tin oxide and micro capacitors for Antimony, Lithium-ion batteries and synthetic fuels for Cobalt, thin layer photovoltaics, IC, WLED for Gallium, fibre optic cable for and IR optical technologies for Germanium, displays and thin layer photovoltaics for Indium, Fuel cells and catalysts for, Platinum (PGM), catalysts and seawater desalination for Palladium (PGM), micro capacitors and ferroalloys for Niobium, permanent magnets and ...[+++]


Les composés III/V sont des produits polycristallins ou monocristallins binaires ou complexes constitués d'éléments des groupes IIIA et VA du tableau de classification périodique de Mendeleïev (arséniure de gallium, arséniure de gallium-aluminium, phosphure d'indium, etc.).

III/V compounds are polycrystalline or binary or complex monocrystalline products consisting of elements of groups IIIA and VA of Mendeleyev's periodic classification table (e.g., gallium arsenide, gallium-aluminium arsenide, indium phosphide).


L'alinéa 6A002.c. ne vise pas les équipements suivants incorporant des photocathodes autres qu'à l'arséniure de gallium (AsGa) ou à l'arséniure de gallium-indium (AsInGa):

6A002.c. does not control the following equipment incorporating other than GaAs or GaInAs photocathodes:




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Laser à indium gallium arséniure phosphure ->

Date index: 2021-05-28
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