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Dépôt assisté par faisceau ionique
Faisceau ionique léger
Faisceau électronique ionique
LFE
Lithographie ionique de projection
Lithographie ionique par projection
Lithographie par faisceau d'ions focalisé
Lithographie par faisceau d'ions focalisés
Lithographie par faisceau d'électrons
Lithographie par faisceau ionique
Lithographie par faisceau ionique focalisé
Lithographie par faisceau électronique
Lithographie par projection d'ions
Lithographie par projection ionique
Lithographie à faisceau d'ions focalisé
Lithographie à faisceau d'ions focalisés
Lithographie à faisceau d'électrons
Lithographie à faisceau ionique focalisé
Lithographie à faisceau électronique
Lithographie électronique
Masquage par faisceau d'électrons
Masquage électronique
électromasquage

Traduction de «Lithographie par faisceau ionique » (Français → Anglais) :

TERMINOLOGIE
voir aussi les traductions en contexte ci-dessous


lithographie par faisceau d'ions focalisé | lithographie par faisceau d'ions focalisés | lithographie par faisceau ionique focalisé | lithographie à faisceau d'ions focalisé | lithographie à faisceau d'ions focalisés | lithographie à faisceau ionique focalisé

focused ion beam lithography | FIBL | FIB lithography


lithographie par projection d'ions | lithographie par projection ionique | lithographie ionique par projection | lithographie ionique de projection

ion beam projection lithography | ion projection lithography | IPL | projection ion lithography


lithographie par faisceau d'électrons | LFE | lithographie par faisceau électronique | LFE | lithographie à faisceau d'électrons | LFE | lithographie à faisceau électronique | LFE | lithographie électronique

electron beam lithography | EBL | e-beam lithography


lithographie par faisceau électronique [ lithographie par faisceau d'électrons | électromasquage | masquage électronique | masquage par faisceau d'électrons ]

electron-beam lithography [ EBL | e-beam lithography | electronic lithography ]


lithographie par projection ionique

ion beam projection lithography | ion projection lithography | IPL [Abbr.]




dépôt assisté par faisceau ionique

ion beam assisted deposition


TRADUCTIONS EN CONTEXTE
Machines-outils travaillant par enlèvement de toute matière et opérant par laser ou autre faisceau de lumière ou de photons, par ultrasons, par électro-érosion, par procédés électrochimiques, par faisceaux d'électrons, par faisceaux ioniques ou par jet de plasma; machines à découper par jet d'eau

Machine tools for working any material by removal of material, by laser or other light or photon beam, ultrasonic, electrodischarge, electrochemical, electron beam, ionic-beam or plasma arc processes; water-jet cutting machines


Machines-outils travaillant par enlèvement de toute matière et opérant par laser ou autre faisceau de lumière ou de photons, par ultrasons, par électro-érosion, par procédés électrochimiques, par faisceaux d'électrons, par faisceaux ioniques ou par jet de plasma; machines à découper par jet d'eau

Machine tools for working any material by removal of material, by laser or other light or photon beam, ultrasonic, electrodischarge, electrochemical, electron beam, ionic-beam or plasma arc processes; water-jet cutting machines


La Commission européenne a autorisé l'État néerlandais à verser à la société Mapper Lithography B.V 15,6 millions € en prêts à taux réduit et 5,7 millions € en aide directe, afin qu'elle développe la lithographie par faisceau d'électrons.

The European Commission has authorised The Netherlands to grant €15.6 million of soft loans and a direct grant of €5.7 million to Mapper Lithography B.V, for the development of 'E-beam lithography'.


Elle mène des recherches dans la technologie dite de «l'écriture par faisceau parallèle d'électrons sans masque» («maskless parallel electron beam writing» ou en abrégé «E-beam») destinée à servir aux machines de lithographie.

It is developing so-called 'maskless parallel electron beam writing' (in short: 'E-beam') technology that could be used in lithography machines.


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ex 8486 | – Machines-outils travaillant par enlèvement de toute matière et opérant par laser ou autre faisceau de lumière ou de photons, par ultrasons, par électro-érosion, par procédés électrochimiques, par faisceaux d’électrons, par faisceaux ioniques ou par jet de plasma | Fabrication dans laquelle la valeur de toutes les matières utilisées ne doit pas excéder 40 % du prix départ usine du produit | |

ex 8486 | – Machine tools for working any material by removal of material, by laser or other light or photon beam, ultrasonic, electrodischarge, electrochemical, electron beam, ionic-beam or plasma arc processes | Manufacture in which the value of all the materials used does not exceed 40 % of the ex-works price of the product | |


2. équipements spécialement conçus pour la production de masques ou le traitement de dispositifs semi-conducteurs, utilisant un faisceau électronique, un faisceau ionique ou un faisceau "laser" avec focalisation et balayage du faisceau, présentant l'une des caractéristiques suivantes:

2. Equipment specially designed for mask making or semiconductor device processing using deflected focused electron beam, ion beam or "laser" beam, having any of the following:


1B226 Séparateurs électromagnétiques d'isotopes, conçus pour ou équipés de sources ioniques uniques ou multiples capables de produire un courant total de faisceau ionique de 50 mA ou plus.

1B226 Electromagnetic isotope separators designed for, or equipped with, single or multiple ion sources capable of providing a total ion beam current of 50 mA or greater.


Elle est également en concurrence avec d'autres techniques (telles que le rayon X et la lithographie par faisceau électronique), qui ont également fait l'objet de nombreuses études aux États-Unis.

It also competes with other technologies (like X-ray and electron beam lithography), that have also been intensely studied in the USA.


Cela comprend les procédés dans lesquels l'implantation ionique est effectuée en même temps que le dépôt en phase vapeur par procédé physique par faisceau d'électrons ou le dépôt par pulvérisation cathodique.

This includes processes in which ion implantation is performed simultaneously with electron beam physical vapour deposition or sputter deposition.


b. équipements de production à "commande par programme enregistré" pour l'implantation ionique, ayant des courants du faisceau de 5 mA ou plus;

b". Stored programme controlled" ion implantation production equipment having beam currents of 5 mA or more;


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