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Amplificateur de puissance
Amplificateur de puissance de la polarisation
Amplificateur de puissance à FET GaAs
Amplificateur de puissance à TEC GaAs
Amplificateur de puissance à l'émission
Amplificateur de puissance à régime pulsé
Amplificateur de puissance à transistors
Amplificateur haute puissance à sortie combinée
Amplificateur à arséniure de gallium à effet de champ
Amplificateur à transistors
étage amplificateur de puissance

Traduction de «amplificateur de puissance à transistors » (Français → Anglais) :

TERMINOLOGIE
voir aussi les traductions en contexte ci-dessous
amplificateur de puissance à transistor à effet de champ à l'arséniure de gallium [ amplificateur de puissance à TEC GaAs | amplificateur de puissance à FET GaAs | amplificateur à arséniure de gallium à effet de champ ]

gallium arsenide FET power amplifier [ SSPA | GaAsFET amplifier ]


amplificateur à transistors [ amplificateur de puissance à transistors ]

transistor amplifier [ transistor power amplifier ]


amplificateur de puissance | amplificateur de puissance à l'émission

high power amplifier


amplificateur de puissance à régime pulsé

pulse power amplifier


amplificateur haute puissance à sortie combinée

3 x 3 kW-combined-output HPA






amplificateur de puissance de la polarisation

bias driver


étage amplificateur de puissance

power-amplifier stage
TRADUCTIONS EN CONTEXTE
Considérations supplémentaires sur la coexistence entre les systèmes WBB et la radiodiffusion de la TNT: afin d'atténuer les dysfonctionnements des récepteurs TNT causés par les émissions d'une station de base, un filtrage externe supplémentaire peut être appliqué à l'entrée de la chaîne de récepteurs TNT au niveau national, notamment pour éviter la saturation au niveau des amplificateurs d'antenne; en outre, un brouillage dû aux émetteurs de radiodiffusion peut affecter les récepteurs de la station de base, soit en raison de la puissance intrabande des émet ...[+++]

Additional considerations on coexistence between WBB systems and DTT broadcasting: in order to mitigate DTT receiver blocking caused by base station transmission, additional external filtering could be applied at the input of the DTT receiver chain at national level, in particular to avoid overload saturation in antenna amplifiers; furthermore, interference from broadcasting transmitters to base station receivers, either caused by transmitter in-band power or unwanted emissions, may arise.


Les transistors de puissance, qui amplifient la puissance des signaux RF, sont principalement utilisés dans les stations de base pour télécommunications mobiles (3G, 4G, LTE), ainsi que dans le matériel de radiotélédiffusion, les fours à micro-ondes, la radio-téléphonie mobile et les équipements de contrôle du trafic aérien.

RF power transistors make RF signals more powerful and are predominantly used in base stations for mobile telecommunications (3G, 4G, LTE), as well as in radio and television broadcasting, microwave ovens, mobile radios and air traffic control equipment.


Les engagements proposés par NXP permettront à l'acheteur de l'activité cédée de reprendre le rôle joué jusqu'ici par NXP sur le marché des transistors de puissance radiofréquences et de maintenir ainsi une concurrence efficace.

The commitments offered by NXP will allow the purchaser of the divested business to replicate NXP's previous role in the RF power transistors market thereby maintaining effective competition.


Ces engagements auront pour effet de supprimer totalement le chevauchement existant entre les activités «transistors de puissance radiofréquences» de NXP et de Freescale et, partant, de résoudre les problèmes de concurrence constatés par la Commission.

These commitments completely remove the overlap between the RF power transistor activities of NXP and Freescale, and therefore adequately address the competition concerns identified by the Commission.


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La Commission a constaté que NXP et Freescale étaient des concurrents proches et les deux principaux acteurs du marché des transistors de puissance RF, en particulier ceux utilisés dans les stations de base pour les télécommunications mobiles.

The Commission found that NXP and Freescale are the two largest players and close competitors in the RF power transistors market, in particular those used in base stations for mobile telecommunications.


La Commission a constaté que les gammes de semi-conducteurs proposées par les deux entreprises étaient en majeure partie complémentaires, à l'exception des transistors de puissance radiofréquences (RF).

The Commission found that the two companies’ semiconductor product portfolios were mostly complementary, except for radio frequency (“RF”) power transistors.


comprenant une configuration d'amplificateur de puissance linéaire ayant la capacité de traiter simultanément des signaux multiples à une puissance de sortie de 1 kW ou plus dans la gamme de fréquences de 1,5 MHz ou plus mais inférieure à 30 MHz, ou de 250 W ou plus dans la gamme de fréquences de 30 MHz ou plus mais ne dépassant pas 87,5 MHz, sur une «bande passante instantanée» d'une octave ou plus avec un taux d'harmonique de sor ...[+++]

Incorporating a linear power amplifier configuration having a capability to support multiple signals simultaneously at an output power of 1 kW or more in the frequency range of 1,5 MHz or more but less than 30 MHz, or 250 W or more in the frequency range of 30 MHz or more but not exceeding 87,5 MHz, over an ‘instantaneous bandwidth’ of one octave or more and with an output harmonic and distortion content of better than – 80 dB;


2. comprenant une configuration d'amplificateur de puissance linéaire ayant la capacité de traiter simultanément des signaux multiples à une puissance de sortie de 1 kW ou plus dans la gamme de fréquences de 1,5 MHz ou plus mais inférieure à 30 MHz, ou de 250 W ou plus dans la gamme de fréquences de 30 MHz ou plus mais ne dépassant pas 87,5 MHz, sur une "bande passante instantanée" d'une octave ou plus avec un taux d'harmonique de ...[+++]

2. Incorporating a linear power amplifier configuration having a capability to support multiple signals simultaneously at an output power of 1 kW or more in the frequency range of 1,5 MHz or more but less than 30 MHz, or 250 W or more in the frequency range of 30 MHz or more but not exceeding 87,5 MHz, over an "instantaneous bandwidth" of one octave or more and with an output harmonic and distortion content of better than - 80 dB;


8. amplificateurs de puissance hyperfréquences contenant des tubes visés à l'alinéa 3A001.b. et présentant toutes les caractéristiques suivantes:

8. Microwave power amplifiers containing tubes specified in 3A001.b. and having all of the following:


2. comprenant une configuration d'amplificateur de puissance linéaire ayant la capacité de traiter simultanément des signaux multiples à une puissance de sortie de 1 kW ou plus dans la gamme de fréquences de 1,5 à 30 MHz ou de 250 W ou plus dans la gamme de fréquences de 30 à 87,5 MHz, sur une "bande passante instantanée" d'une octave ou plus avec un taux d'harmonique de sortie et de distorsion meilleur que - 80 dB;

2. Incorporating a linear power amplifier configuration having a capability to support multiple signals simultaneously at an output power of 1 kW or more in the 1,5 MHz to 30 MHz frequency range or 250 W or more in the 30 MHz to 87,5 MHz frequency range, over an "instantaneous bandwidth" of one octave or more and with an output harmonic and distortion content of better than - 80 dB;




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amplificateur de puissance à transistors ->

Date index: 2021-02-24
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