(C) un bouclier (fournissant une atténuation équivalant à 0,25 millimètre de plomb pour un faisceau de rayons X maximal de 100 kilovolts (crête) ayant une couche de demi-absorption de 2,7 millimètres d’aluminium) monté sur un support rattaché à la partie inférieure du cadre de l’écran fluorescent doit pouvoir être déplacé par pivotement de manière à protéger la région gonadique du sujet contre le faisceau utile,

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(C) there shall be an apron (providing attenuation equivalent to 0.25 millimetre lead for a 100 kilovolts (peak) X-ray beam of half value layer 2.7 millimetres of aluminium) on a bracket attached to the bottom of the fluorescent screen mounting that can be swiveled into place to protect the patient’s gonad area from the useful beam,

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9. Microscopes électroniques de faible énergie : dispositifs d’optique électronique à transmission ou à balayage, ayant une énergie de fonctionnement de 500 kilo-électronvolts (keV) ou moins, dans lesquels on utilise un faisceau d’électrons, focalisé par des lentilles électroniques, pour produire sur un écran fluorescent, une plaque photographique ou un autre système de visualisation, une image agrandie d’un objet de petite taille.

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9. Low Energy Electron Microscopes being electron-optical devices with an operating energy of 500 kilo-electron volts (keV) or less in which a beam of electrons, focused by means of electron lenses, is used to produce an enlarged image of a minute object on a fluorescent screen, photographic plate or any other detector-display system, including both the transmission and scanning types of devices.

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Systèmes de production de plasma d’uranium spécialement conçus ou préparés, pouvant renfermer des canons à électrons de grande puissance à faisceau en nappe ou à balayage, fournissant une puissance au niveau de la cible supérieure à 2,5 kW/cm.

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Especially designed or prepared systems for the generation of uranium plasma, which may contain high-power strip or scanning electron beam guns with a delivered power on the target of more than 2.5 kW/cm.

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Systèmes de vaporisation de l’uranium spécialement conçus ou préparés, renfermant des canons à électrons de grande puissance à faisceau en nappe ou à balayage, fournissant une puissance au niveau de la cible supérieure à 2,5 kW/cm.

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Especially designed or prepared uranium vaporization systems which contain high-power strip or scanning electron beam guns with a delivered power on the target of more than 2.5 kW/cm.

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(ii) assurent un degré d’atténuation du faisceau de rayonnement X tel que la première couche de demi-transmission d’aluminium soit au moins égale à la valeur indiquée à la colonne II du tableau du présent sous-alinéa, selon la haute tension radiogène de crête indiquée à la colonne I, ou au moins égale à la valeur obtenue par interpolation linéaire à partir de ce tableau;

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(ii) provide a degree of attenuation of the X-ray beam such that the first half-value layer of aluminum is not less than the value shown in column II of the table to this subparagraph that corresponds to the X-ray tube voltage shown in column I of the table, or is not less than the value obtained by linear interpolation from that table;

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matériel à balayage rapide du faisceau pour les opérations rapides contre des cibles multiples;

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) (...) [HTML] [2012-03-21]

Equipment with rapid beam slew capability for rapid multiple target operations;

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e.matériel à balayage rapide du faisceau pour les opérations rapides contre des cibles multiples.

https://eur-lex.europa.eu/lega (...) (...) [HTML] [2009-05-05]

e.Equipment with rapid beam slew capability for rapid multiple target operations.

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matériel à balayage rapide du faisceau pour les opérations rapides contre des cibles multiples.

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Equipment with rapid beam slew capability for rapid multiple target operations.

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2. équipements spécialement conçus pour la production de masques ou le traitement de dispositifs semi-conducteurs, utilisant un faisceau électronique, un faisceau ionique ou un faisceau "laser" avec focalisation et balayage du faisceau, présentant l'une des caractéristiques suivantes:

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) (...) [HTML] [2003-01-26]

2. Equipment specially designed for mask making or semiconductor device processing using deflected focused electron beam, ion beam or "laser" beam, having any of the following:

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) (...) [HTML] [2003-01-26]

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) [HTML] [2003-01-26]

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