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Temps d'accès à une mémoire RAM
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Traduction de «mémoire d-ram » (Français → Anglais) :

TERMINOLOGIE
voir aussi les traductions en contexte ci-dessous
mémoire vive dynamique [ DRAM | RAM dynamique | mémoire RAM dynamique | mémoire dynamique à accès aléatoire | mémoire DRAM | mémoire D-RAM ]

dynamic RAM [ DRAM | DRAM memory | dynamic random-access memory | dynamic-RAM | D-RAM ]


mémoire à accès aléatoire | mémoire à accès sélectif | mémoire vive | RAM [Abbr.]

volatile memory


mémoire RAM en sortie étendue [ mémoire EDORAM | RAM en sortie étendue ]

extended data out RAM




tampon d'image [ mémoire d'images | mémoire graphique | bibliothèque d'images | mémoire tampon de trame ]

bit-map [ bit map | frame store | frame-store | frame buffer | framestore ]


extension de mémoire | mémoire d'extension | mémoire EMS

extended memory


mémoire holographique | mémoire d'hologrammes

holographic memory | holographic storage | holostore


mémoire d'accès rapide | antémémoire | mémoire cache

Cache memory | Cache storage


mémoire à accès sélectif | mémoire à lecture-écriture à accès aléatoire | mémoire vive | MEV [Abbr.] | Ram [Abbr.]

random-access memory | random-access storage | read-write memory | RAM [Abbr.]


temps d'accès à une mémoire RAM | temps d'accès à une mémoire vive

RAM access time
TRADUCTIONS EN CONTEXTE
Les pouvoirs publics chinois ont affirmé que la Commission n'a formulé aucune conclusion selon laquelle il existe une intention spécifique de leur part d'apporter une contribution financière effective en cause dans le cas de la fourniture d'acier laminé à chaud et d'acier laminé à froid, tel que prescrit par le rapport de l'organe d'appel intitulé États-Unis – Enquête en matière de droits compensateurs sur les semi-conducteurs pour mémoires RAM dynamiques (DRAM) en provenance de Corée (97).

GOC claimed that the Commission did not make a finding that there is a specific intent by the GOC to provide actual financial contribution at issue in the case of provision of HRS and CRS as prescribed by the AB report in US –Countervailing Duty Investigation on DRAMS from Korea (97).


Le 3 août 2005, l'organe de règlement des différends (ci-après dénommé «ORD») de l'Organisation mondiale du commerce (ci-après dénommée «OMC») a adopté un rapport du groupe spécial concernant l'affaire «Communautés européennes — mesures compensatoires provisoires frappant les semi-conducteurs pour mémoires RAM dynamiques en provenance de Corée» (5).

On 3 August 2005, the Dispute Settlement Body (DSB) of the World Trade Organisation (WTOmm) adopted a Panel report in ‘European Communities — Countervailing measures on dynamic random access memory chips from Korea’ (5).


Des dispositifs mémoire périphériques, tels que les unités de disques, les dérouleurs de bande magnétique ou les disques RAM ne sont pas inclus.

Peripheral memory devices such as disk drives, tape drives or RAM disks are not included.


Les produits couverts par les acc ords sont les mémoires RAM dynamiques et les mémoires flash mortes programmables électriquement.

The products covered under the agreements are Dynamic Random Access Memories (DRAMs) and Flash Erasable Programmable Read-Only Memories (Flash EPROMs).


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- Aide d'État n° N 138/94 - Secteur de la microélectronique - SIEMENS AG - Saxe, Allemagne (Dresde) - Approbation La Commission a décidé d'autoriser, en application de l'article 92 paragraphe 3 c) du Traité CE, une subvention ad hoc de 450 millions de DM (231 millions d'écus) payable en cinq versements annuels au cours de la période de 1995 à 1999 que les autorités de la Saxe se proposent d'accorder à SIEMENS AG pour la création à Dresde d'un nouveau centre de RD et de production de mémoires vives (RAM) dynamiques.

- State aid no N 138/94 - Micro-electronic sector - SIEMENS AG - Saxony - Germany (Dresden) - Approval The Commission has decided to authorize, under Article 92(3) c) of the EC Treaty, an ad hoc subsidy of 450 mio DM (231 MECU) payable in five annual instalments over the period 1995-1999 that the Government of Saxony intends to grant to SIEMENS AG for the setting-up in Dresden of a new R+D and production plant of Dynamic Random Access Memories ("DRAMs").


Pour prendre sa décision, la Commission a notamment tenu compte du fait que la production de l'usine contribuera à réduire le déficit actuel de la production communautaire de mémoires RAM dynamiques, que la création à l'intérieur de la Communauté d'un centre de RD et de production de nouvelles générations de mémoires RAM dynamiques doit être considérée comme renforçant les capacités industrielles de la Communauté dans un secteur clé qui est dominé par des sociétés extracommunautaires, et qu'un investissement technologique important tel que celui-ci, qui entraîne la création d'un grand nombre d'emplois hautement qualifiés dans une région ...[+++]

In adopting its decision, the Commission notably took into consideration that the output of the plant will contribute to reduce the deficit the EC currently shows in the production of DRAMs, that the settlement within the EC of a R+D and production plant of new generations of DRAMs is to be considered as a reinforcement of the EC industrial capabilities in a key industrial sector led by extra-EC companies, and that an important technological investment such as this, which involves the creation of a great number of highly qualified jobs in a disadvantaged region of the Community and in a strategical sector not subject to specific EC aid d ...[+++]


Le nouvel établissement, dont le coût est estimé à 2 696 millions de DM (1 830 millions d'écus) pour la décennie de 1994 à 2003, développera et produira dans un premier temps des mémoires RAM dynamiques de 16 Mbits.

The new establishment, whose cost is estimated at 2 696 mio DM (1 380 MECU) over the ten-year period 1994-2003, will initially develop and produce 16 Mbit DRAMs.


Dans une seconde phase, après 2 ou 3 ans, elle passera progressivement à la production de mémoires RAM dynamiques de 64 Mbits.

In a second phase, after 2-3 years, it will gradually upgrade to 64 Mbit DRAMs.


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