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Chromatographie en couche mince préparative
Chromatographie en couche épaisse
Chromatographie préparative en couche mince
Circuit en couche épaisse
Circuit hybride à couches épaisses
Circuit à couches épaisses
Réseau en couche épaisse
Réseau à couche épaisse
Technologie des couches épaisses
Technologie des couches épaisses multiples
Technologie des films épais
Technologie à couche épaisse
Touraille à couche très épaisse
Touraille à couche épaisse
Touraille à grand rendement

Traduction de «technologie des couches épaisses » (Français → Anglais) :

TERMINOLOGIE
voir aussi les traductions en contexte ci-dessous
technologie des couches épaisses multiples

multi-layer thick-film technology


technologie des couches épaisses [ technologie des films épais ]

thick film technology [ thick-film technology ]




réseau à couche épaisse | réseau en couche épaisse

thick film network


circuit à couches épaisses [ circuit hybride à couches épaisses ]

thick film circuit [ thick-film hybrid circuit | thick-film hybrid integrated circuit ]


touraille à grand rendement [ touraille à couche très épaisse | touraille à couche épaisse ]

high capacity kiln [ kiln with deep loading ]


chromatographie en couche mince préparative | chromatographie préparative en couche mince | chromatographie en couche épaisse

preparative layer chromatography | PLC | preparative thin layer chromatography, thick layer chromatography




microélectronique hyperfréquence réalisée en couches épaisses

thick film microwave microelectronics
TRADUCTIONS EN CONTEXTE
Il est actuellement impossible de remplacer le cadmium et l’oxyde de cadmium dans les pâtes pour couches épaisses utilisées sur l’oxyde de béryllium allié à l’aluminium.

The substitution of cadmium and cadmium oxide in thick film pastes used on aluminium bonded beryllium oxide is currently not practicable.


Le cadmium et l’oxyde de cadmium dans les pâtes pour couches épaisses utilisées sur l’oxyde de béryllium allié à l’aluminium».

Cadmium and cadmium oxide in thick film pastes used on aluminium bonded beryllium oxide’.


Il est actuellement impossible de remplacer le cadmium et l’oxyde de cadmium dans les pâtes pour couches épaisses utilisées sur l’oxyde de béryllium allié à l’aluminium.

The substitution of cadmium and cadmium oxide in thick film pastes used on aluminium bonded beryllium oxide is currently not practicable.


Le cadmium et l’oxyde de cadmium dans les pâtes pour couches épaisses utilisées sur l’oxyde de béryllium allié à l’aluminium».

Cadmium and cadmium oxide in thick film pastes used on aluminium bonded beryllium oxide’.


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Évaluation et vérification: le demandeur doit fournir un rapport d’essai par la méthode ISO 6504/1 (Peintures et vernis — Détermination du pouvoir masquant — Partie 1: méthode de Kubelka-Munk pour les peintures blanches et les peintures claires) ou 6504/3 (Partie 3: Détermination du rapport de contraste des peintures claires à un rendement surfacique déterminé), ou par la méthode NF T 30 073 (ou équivalent) pour les peintures spécialement conçues pour produire un effet décoratif en trois dimensions et caractérisées par une couche très épaisse.

Assessment and verification: The applicant shall provide a test report using the method ISO 6504/1 (Paints and varnishes — determination of hiding power — Part 1: Kubelka-Munk method for white and light-coloured paints) or 6504/3 (Part 3: determination of contrast ratio (opacity) of light-coloured paints at a fixed spreading rate), or for paints specially designed to give a three-dimensional decorative effect and characterised by a very thick coat the method NF T 30 073 (or equivalent).


Les revêtements décoratifs épais (peintures spécialement conçues pour produire un effet décoratif en trois dimensions et qui se caractérisent donc par une couche très épaisse) doivent quant à eux présenter un rendement en surface de 1 m par kg de produit.

Thick decorative coatings (paints that are specially designed to give a three-dimensional decorative effect and are therefore characterised by a very thick coat) shall alternatively have a spreading power of 1 m per kg of product.


des conseils indiquant d'éviter l'accumulation d'épaisses couches de glace au niveau de l'évaporateur et rappelant qu'un dégivrage fréquent facilite l'élimination de la couche de glace.

advice that the evaporator unit should be kept clean from thick layers of ice and that frequent defrosting facilitates the removal of the ice cover.


des conseils indiquant d'éviter l'accumulation d'épaisses couches de glace au niveau de l'évaporateur et rappelant qu'un dégivrage fréquent facilite l'élimination de la couche de glace;

advice that the evaporator unit should be kept clean from thick layers of ice and that frequent defrosting facilitates the removal of the ice cover;


b) les circuits intégrés hybrides réunissant, de façon pratiquement indissociable, sur un même substrat isolant (verre, céramique, etc.) des éléments passifs (résistances, capacités, interconnexions, etc.), obtenus par la technologie des circuits à couche mince ou épaisse et des éléments actifs (diodes, transistors, circuits intégrés monolithiques, etc.) obtenus par la technologie des semi-conducteurs.

(b) hybrid integrated circuits in which passive elements (resistors, capacitors, interconnections, etc.), obtained by thin-or thick-film technology, and active elements (diodes, transistors, monolithic integrated circuits, etc.), obtained by semiconductor technology, are combined to all intents and purposes indivisibly, on a single insulating substrate (glass, ceramic, etc.).


b) les circuits intégrés hybrides réunissant, de façon pratiquement indissociable, sur un même substrat isolant (verre, céramique, etc.) des éléments passifs (résistances, capacités, interconnexions, etc.), obtenus par la technologie des circuits à couche mince ou épaisse et des éléments actifs (diodes, transistors, circuits intégrés monolithiques, etc.) obtenus par la technologie des semi-conducteurs.

(b) Hybrid integrated circuits in which passive elements (resistors, capacitors, interconnections, etc.), obtained by thin-or thick-film technology, and active elements (diodes, transistors, monolithic integrated circuits, etc.), obtained by semiconductor technology, are combined to all intents and purposes indivisibly, on a single insulating substrate (glass, ceramic, etc.).


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