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Logique transistor-transistor
Syndrome de déplétion sodique chez le nourrisson
TEC à jonction
Transistor MOS
Transistor monoélectron
Transistor métal oxyde semiconducteur
Transistor organique
Transistor organique à effet de champ
Transistor à appauvrissement
Transistor à base de nanotubes
Transistor à base de nanotubes de carbone
Transistor à déplétion
Transistor à effet de champ MOS
Transistor à effet de champ métal-oxyde semiconducteur
Transistor à effet de champ organique
Transistor à effet de champ à appauvrissement
Transistor à effet de champ à déplétion
Transistor à effet de champ à jonction
Transistor à effet de champ à jonction de grille
Transistor à effet de champ à nanotubes
Transistor à effet de champ à nanotubes de carbone
Transistor à effet de champ à oxyde métallique
Transistor à jonction agrandie
Transistor à jonction à effet de champ
Transistor à nanotubes
Transistor à nanotubes de carbone
Transistor à taux d'accroissement
Transistor à taux d'augmentation
Transistor à un électron
Transistor à électron unique

Traduction de «transistor à déplétion » (Français → Anglais) :

TERMINOLOGIE
voir aussi les traductions en contexte ci-dessous
transistor à effet de champ à déplétion [ transistor à effet de champ à appauvrissement | transistor à déplétion | transistor à appauvrissement ]

depletion-mode field-effect transistor [ depletion-mode FET ]


transistor à nanotubes de carbone | transistor à nanotubes | transistor à base de nanotubes de carbone | transistor à base de nanotubes | transistor à effet de champ à nanotubes de carbone | transistor à effet de champ à nanotubes

carbon nanotube transistor | CNT transistor | nanotube transistor | carbon nanotube-based transistor | nanotube-based transistor | carbon nanotube field-effect transistor | CNTFET | CNFET


transistor à effet de champ métal-oxyde semiconducteur [ transistor MOS | transistor à effet de champ MOS | transistor métal oxyde semiconducteur | transistor à effet de champ à oxyde métallique ]

metal-oxide semiconductor field-effect transistor [ MOSFET | metal oxide semiconductor transistor | MOS transistor ]


transistor à jonction agrandie [ transistor à taux d'accroissement | transistor à taux d'augmentation ]

rate-grown junction transistor [ RGJT | rate-grown transistor | graded-junction transistor | rategrown transistor ]


transistor organique à effet de champ | transistor à effet de champ organique | transistor organique

organic field-effect transistor | OFET | organic FET | organic transistor


transistor à un électron | transistor à électron unique | transistor monoélectron

single-electron transistor | SET | single electron transistor


transistor à effet de champ à appauvrissement | transistor à effet de champ à déplétion

depletion mode IGFET | depletion type field-effect transistor


logique à transistors multi-émetteurs et couplage à transistors | logique transistor-transistor

transistor-transistor-logic | TTL [Abbr.]


TEC à jonction | transistor à effet de champ à jonction | transistor à effet de champ à jonction de grille | transistor à jonction à effet de champ

junction field-effect transistor | Junction Gate Field Effect Transistor | junction-gate field-effect transistor | JFET [Abbr.] | JUGFET [Abbr.]


syndrome de déplétion sodique chez le nourrisson

Salt-wasting syndrome of infancy
TRADUCTIONS EN CONTEXTE
Deux technologies permettent actuellement d’aller au-delà du 28nm : la technologie FinFET, issue des laboratoires de la DARPA aux Etats-Unis, industrialisée pour la première fois par Intel, puis par TSMC d’une part ; et la technologie FDSOI ("Fully Depleted Silicon On Insulator"), dont les performances et la potentialité à remplacer les transistors CMOS sur substrats massifs pour le nœud technologique 28nm ont été démontrées dans le cadre de l’alliance ISDA avec IBM et du projet Nano2012 (voir IP/09/150), et dont le développement au-delà du 28nm est au cœur du programme Nano2017 d’autre part.

Two technologies currently make it possible to scale down beyond 28 nm: (1) FinFET technology, created by the DARPA laboratories in the United States and first produced industrially by Intel, then later by TSMC; and (2) FDSOI (Fully Depleted Silicon on Insulator) technology. The ISDA alliance with IBM and the Nano2012 project have demonstrated FDSOI’s performance and its potential to replace CMOS transistors on massive substrates for 28 nm technology (see IP/09/150); developing it beyond 28 nm is the core focus of the Nano2017 programme.


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