I prodotti oggetto del riesame sono alcuni circuiti elettronici integrati noti come DRAM (Dynamic Random Access Memories — memorie dinamiche ad accesso casuale), costruiti utilizzando tipi diversi di semiconduttori metallo-ossidi (MOS), compresi tipi di MOS complementari (CMOS), di ogni tipo, densità, variante, velocità di accesso, configurazione, confezione o supporto, ecc., originari della Repubblica di Corea («il prodotto in esame»).
The product under review is certain electronic integrated circuits known as Dynamic Random Access Memories (DRAMs) manufactured using variations of metal oxide-semiconductors (MOS) process technology, including complementary MOS types (CMOS), of all types, densities, variations, access speed, configuration, package or frame, etc. originating in the Republic of Korea (‘the product concerned’).