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Traduction de «Metal-oxide-semiconductor process » (Anglais → Français) :

TERMINOLOGIE
voir aussi les traductions en contexte ci-dessous

metal-oxide-semiconductor process | MOS process

http://iate.europa.eu/FindTerm (...) (...) [HTML] [2017-12-31]

procédé métal-oxyde-semiconducteur

http://iate.europa.eu/FindTerm (...) (...) [HTML] [2017-12-31]

http://iate.europa.eu/FindTerm (...) [HTML] [2017-12-31]

metal-oxide semiconductor [ MOS | metal oxide semiconductor | metal-oxide-semiconductor ]

http://www.btb.termiumplus.gc. (...) (...) [HTML] [2018-01-01]

métal-oxyde-semiconducteur

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http://www.btb.termiumplus.gc. (...) [HTML] [2018-01-01]

complementary metal-oxide semiconductor [ CMOS | complementary metal oxide semiconductor | complementary MOS | complementary metal-oxide-silicon ]

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MOS complémentaire [ CMOS | semi-conducteur complémentaire à l'oxyde de métal ]

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http://www.btb.termiumplus.gc. (...) [HTML] [2018-01-01]

metal-oxide semiconductor field-effect transistor [ MOSFET | metal oxide semiconductor transistor | MOS transistor ]

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transistor à effet de champ métal-oxyde semiconducteur [ transistor MOS | transistor à effet de champ MOS | transistor métal oxyde semiconducteur | transistor à effet de champ à oxyde métallique ]

http://www.btb.termiumplus.gc. (...) (...) [HTML] [2018-01-01]

http://www.btb.termiumplus.gc. (...) [HTML] [2018-01-01]

metal oxide semiconductor | metal-oxide semiconductor | MOS [Abbr.]

http://iate.europa.eu/FindTerm (...) (...) [HTML] [2017-12-31]

métal-oxyde-semiconducteur | semiconducteur MOS | MOS [Abbr.]

http://iate.europa.eu/FindTerm (...) (...) [HTML] [2017-12-31]

http://iate.europa.eu/FindTerm (...) [HTML] [2017-12-31]

field effect transistor of MOS technology | metal oxide semiconductor field-effect transistor | Metal-Oxide Semiconductor Field Effect Transistor | MOSFET [Abbr.]

http://iate.europa.eu/FindTerm (...) (...) [HTML] [2017-12-31]

transistor à effet de champ, réalisé en technologie MOS

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http://iate.europa.eu/FindTerm (...) [HTML] [2017-12-31]

vertical metal oxide semiconductor technology | VMOS technology

http://gdt.oqlf.gouv.qc.ca/fic (...) (...) [HTML] [2018-01-01]

technologie VMOS

http://gdt.oqlf.gouv.qc.ca/fic (...) (...) [HTML] [2018-01-01]

http://gdt.oqlf.gouv.qc.ca/fic (...) [HTML] [2018-01-01]

complementary metal oxide semiconductor circuit | C. Mos circuit

http://gdt.oqlf.gouv.qc.ca/fic (...) (...) [HTML] [2018-01-01]

circuit à transistors Mos complémentaires | circuit « C. Mos »

http://gdt.oqlf.gouv.qc.ca/fic (...) (...) [HTML] [2018-01-01]

http://gdt.oqlf.gouv.qc.ca/fic (...) [HTML] [2018-01-01]

MOS memory | metal-oxide semiconductor memory

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mémoire MOS

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TRADUCTIONS EN CONTEXTE

The aim of the programme is to develop new technologies for the design and production of the next generation of integrated circuits and to strengthen the structure of the European micro- and nanoelectronics industry by positioning the Crolles-Grenoble cluster as a global leader in the field of advanced CMOS (Complementary Metal-Oxide-Semiconductor) technology.

http://europa.eu/rapid/press-r (...) (...) [HTML] [2014-06-24]

Ce programme vise à développer de nouvelles technologies pour la conception et la production des prochaines générations de circuits intégrés, ainsi qu’à renforcer la structuration de la filière européenne en micro-nanoélectronique, en positionnant le cluster de Crolles - Grenoble comme un leader au niveau mondial dans le domaine des technologies CMOS ("Complementary metal-oxide-semiconductor") digitales avancées.

http://europa.eu/rapid/press-r (...) (...) [HTML] [2014-06-24]

http://europa.eu/rapid/press-r (...) [HTML] [2014-06-24]

with a single Charge-Couple-Device (CCD) or Complementary Metal Oxide Semiconductor (CMOS) sensor,

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) (...) [HTML] [2013-12-31]

équipée d'un unique dispositif à transfert de charge (CCD) ou d'un capteur d'images à semi-conducteurs à oxyde de métal (MOS) supplémentaire

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) (...) [HTML] [2013-12-31]

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) [HTML] [2013-12-31]

with a single Charge-Couple-Device (CCD) or Complementary Metal–Oxide–Semiconductor (CMOS) sensor,

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) (...) [HTML] [2013-12-31]

équipée d'un unique dispositif à transfert de charge (CCD) ou d'un capteur d'images à semiconducteurs à oxyde de métal (MOS) supplémentaire,

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) (...) [HTML] [2013-12-31]

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) [HTML] [2013-12-31]

[12] Complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) is the standard technology for integrated circuits in the "more Moore" track

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) (...) [HTML] [2012-12-31]

[12] La technologie métal-oxyde-semi-conducteur complémentaire (CMOS) est la technologie standard pour les circuits intégrés de la piste «more Moore».

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) (...) [HTML] [2012-12-31]

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) [HTML] [2012-12-31]

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That includes all economic spinoffs from secondary processing, meaning individual oxides, and even from tertiary processing, meaning metals and alloys.

http://www.parl.gc.ca/HousePub (...) (...) [HTML] [2014-02-24]

Cela inclut toutes les retombées économiques associées à la deuxième transformation, soit les oxydes individuels, voire à la troisième, c'est-à-dire les métaux et les alliages.

http://www.parl.gc.ca/HousePub (...) (...) [HTML] [2014-02-24]

http://www.parl.gc.ca/HousePub (...) [HTML] [2014-02-24]

The second critical need is converting separated rare earth oxides to metal, which is the process normally described as smelting.

http://www.parl.gc.ca/HousePub (...) (...) [HTML] [2014-02-24]

Pour ce qui est plus précisément des terres rares, il y a trois besoins essentiels à combler.

http://www.parl.gc.ca/HousePub (...) (...) [HTML] [2014-02-24]

http://www.parl.gc.ca/HousePub (...) [HTML] [2014-02-24]

The product under consideration and the like product are the same as that covered by the original investigation, i.e. certain electronic microcircuits known as dynamic random access memories (DRAMs), of all types, densities and variations, whether assembled, in processed wafer or chips (dies), manufactured using variations of metal oxide-semiconductors (MOS) process technology, including complementary MOS types (CMOS), of all densities (including future densities), irrespective of access speed, configuration, package or frame etc., or ...[+++]

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) (...) [HTML] [2005-12-31]

Les produits considérés et les produits similaires sont les mêmes que lors de l'enquête initiale, à savoir certains types de microcircuits électroniques dits «DRAM» (dynamic random access memories — mémoires dynamiques à accès aléatoire), de tous types, densités (y compris les densités non encore existantes) et variantes, assemblés ou non, sous forme de disques ou de microplaquettes transformés, fabriqués à l'aide de variantes du procédé métal-oxyde-semi-conducteur (MOS), y compris certains types de MOS complémentaire (CMOS), quels qu ...[+++]

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) (...) [HTML] [2005-12-31]

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) [HTML] [2005-12-31]

The product under review is certain electronic integrated circuits known as Dynamic Random Access Memories (DRAMs) manufactured using variations of metal oxide-semiconductors (MOS) process technology, including complementary MOS types (CMOS), of all types, densities, variations, access speed, configuration, package or frame, etc. originating in the Republic of Korea (‘the product concerned’).

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) (...) [HTML] [2005-12-31]

Les produits faisant l'objet du réexamen sont certains circuits électroniques intégrés dits «DRAM» (dynamic random access memories — mémoires dynamiques à accès aléatoire), fabriqués à l'aide de variantes du procédé métal-oxyde-semi-conducteur (MOS), y compris certains types de MOS complémentaire (CMOS), de tous types, densités et variantes, quels que soient leur vitesse d'accès, leur configuration, leur mode de conditionnement ou leur support, etc., originaires de la République de Corée (ci-après dénommés «produit concerné»).

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) (...) [HTML] [2005-12-31]

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) [HTML] [2005-12-31]

The main objective of the Action is to increase knowledge about the action of the electromagnetic fields to control, process and manipulate liquid and solid metals, semiconductors, electrolytes, ferrofluids, and plasmas with the aim of producing new or improve the quality of existing materials.

http://europa.eu/rapid/press-r (...) (...) [HTML]

Cette action a pour principal objectif de développer les connaissances sur l'action des champs électromagnétiques aux fins du contrôle du traitement et de la manipulation des métaux liquides et solides, des semi-conducteurs, des électrolytes, des ferro-fluides et des plasmas pour produire des matériaux nouveaux ou améliorer la qualité des matériaux existants.

http://europa.eu/rapid/press-r (...) (...) [HTML]

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Date index: 2024-05-06