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Traduction de «complementary mos technology » (Anglais → Français) :

TERMINOLOGIE
voir aussi les traductions en contexte ci-dessous

CMOS technology | complementary MOS technology

http://iate.europa.eu/FindTerm (...) (...) [HTML] [2017-12-31]

technologie de type CMOS | technologie de type MOS complémentaire

http://iate.europa.eu/FindTerm (...) (...) [HTML] [2017-12-31]

http://iate.europa.eu/FindTerm (...) [HTML] [2017-12-31]

complementary metal-oxide semiconductor [ CMOS | complementary metal oxide semiconductor | complementary MOS | complementary metal-oxide-silicon ]

http://www.btb.termiumplus.gc. (...) (...) [HTML] [2018-01-01]

MOS complémentaire [ CMOS | semi-conducteur complémentaire à l'oxyde de métal ]

http://www.btb.termiumplus.gc. (...) (...) [HTML] [2018-01-01]

http://www.btb.termiumplus.gc. (...) [HTML] [2018-01-01]

CMOS | complementary metal-oxide semiconductor | complementary MOS

http://gdt.oqlf.gouv.qc.ca/fic (...) (...) [HTML] [2018-01-01]

CMOS | semi-conducteur à oxyde de métal complémentaire | MOS complémentaire

http://gdt.oqlf.gouv.qc.ca/fic (...) (...) [HTML] [2018-01-01]

http://gdt.oqlf.gouv.qc.ca/fic (...) [HTML] [2018-01-01]

MOS technology | MOS

http://gdt.oqlf.gouv.qc.ca/fic (...) (...) [HTML] [2018-01-01]

technologie MOS

http://gdt.oqlf.gouv.qc.ca/fic (...) (...) [HTML] [2018-01-01]

http://gdt.oqlf.gouv.qc.ca/fic (...) [HTML] [2018-01-01]

p-channel MOS technology | P-MOS | PMOS-technology | positive-channel MOS technology

http://iate.europa.eu/FindTerm (...) (...) [HTML] [2017-12-31]

technologie de type PMOS | technologie MOS à canal P

http://iate.europa.eu/FindTerm (...) (...) [HTML] [2017-12-31]

http://iate.europa.eu/FindTerm (...) [HTML] [2017-12-31]

silicon gate MOS technology

http://www.btb.termiumplus.gc. (...) (...) [HTML] [2018-01-01]

technologie MOS grille silicium

http://www.btb.termiumplus.gc. (...) (...) [HTML] [2018-01-01]

http://www.btb.termiumplus.gc. (...) [HTML] [2018-01-01]

magneto-optical technology | MO technology

http://gdt.oqlf.gouv.qc.ca/fic (...) (...) [HTML] [2018-01-01]

technologie magnéto-optique | technologie MO

http://gdt.oqlf.gouv.qc.ca/fic (...) (...) [HTML] [2018-01-01]

http://gdt.oqlf.gouv.qc.ca/fic (...) [HTML] [2018-01-01]

N-channel MOS technology | negative-channel MOS technology | NMOS technology

http://iate.europa.eu/FindTerm (...) (...) [HTML] [2017-12-31]

technologie de type MOS à canal N | technologie de type NMOS

http://iate.europa.eu/FindTerm (...) (...) [HTML] [2017-12-31]

http://iate.europa.eu/FindTerm (...) [HTML] [2017-12-31]

non-complementary technology

http://www.btb.termiumplus.gc. (...) (...) [HTML] [2018-01-01]

technologie non complémentaire

http://www.btb.termiumplus.gc. (...) (...) [HTML] [2018-01-01]

http://www.btb.termiumplus.gc. (...) [HTML] [2018-01-01]

TRADUCTIONS EN CONTEXTE

The product under review is certain electronic integrated circuits known as Dynamic Random Access Memories (DRAMs) manufactured using variations of metal oxide-semiconductors (MOS) process technology, including complementary MOS types (CMOS), of all types, densities, variations, access speed, configuration, package or frame, etc. originating in the Republic of Korea (‘the product concerned’).

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) (...) [HTML] [2005-12-31]

Les produits faisant l'objet du réexamen sont certains circuits électroniques intégrés dits «DRAM» (dynamic random access memories — mémoires dynamiques à accès aléatoire), fabriqués à l'aide de variantes du procédé métal-oxyde-semi-conducteur (MOS), y compris certains types de MOS complémentaire (CMOS), de tous types, densités et variantes, quels que soient leur vitesse d'accès, leur configuration, leur mode de conditionnement ou leur support, etc., originaires de la République de Corée (ci-après dénommés «produit concerné»).

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) (...) [HTML] [2005-12-31]

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) [HTML] [2005-12-31]

The product under consideration and the like product are the same as that covered by the original investigation, i.e. certain electronic microcircuits known as dynamic random access memories (DRAMs), of all types, densities and variations, whether assembled, in processed wafer or chips (dies), manufactured using variations of metal oxide-semiconductors (MOS) process technology, including complementary MOS types (CMOS), of all densities (including future densities), irrespective of access speed, configuration, package or frame etc., originating in the Republic of Korea.

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) (...) [HTML] [2005-12-31]

Les produits considérés et les produits similaires sont les mêmes que lors de l'enquête initiale, à savoir certains types de microcircuits électroniques dits «DRAM» (dynamic random access memories — mémoires dynamiques à accès aléatoire), de tous types, densités (y compris les densités non encore existantes) et variantes, assemblés ou non, sous forme de disques ou de microplaquettes transformés, fabriqués à l'aide de variantes du procédé métal-oxyde-semi-conducteur (MOS), y compris certains types de MOS complémentaire (CMOS), quels que s ...[+++]

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) (...) [HTML] [2005-12-31]

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) [HTML] [2005-12-31]

D'autres ont cherché : cmos technology mo technology mos technology n-channel mos technology nmos technology pmos-technology complementary mos complementary mos technology complementary metal oxide semiconductor complementary metal-oxide semiconductor complementary metal-oxide-silicon magneto-optical technology negative-channel mos technology non-complementary technology p-channel mos technology positive-channel mos technology silicon gate mos technology

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Date index: 2024-02-04