L'alternatore del richiedente presenta un'efficienza maggiore rispetto all'alternatore di base in quanto riduce le seguenti tre perdite: perdite di rettificazione mediante ottimizzazione della stessa con il modulo «MOSFET», ossia l'uso di un transistor a effetto di campo di tipo metallo-ossido-semiconduttore; perdite di ferro nello statore grazie all'uso di un nucleo a laminato sottile di acciaio magnetico e perdite di rame nello statore grazie all'uso di un «conduttore a segmenti», con un fattore spaziale più elevato e una testa della bobina più corta.
L'alternateur du demandeur offre un rendement accru, comparé à celui de l'alternateur de base, car il réduit les trois pertes suivantes: rectification des pertes en optimalisant la rectification grâce au module MOSFET, à savoir en utilisant un transistor à effet de champ à oxydes métalliques; les pertes du stator en fer en utilisant un fin noyau stratifié composé d'acier magnétique, et les pertes du stator en cuivre en utilisant un «segment conducteur» avec un facteur spatial plus élevé et une tête de bobine plus courte.
