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Traduction de «accesso casuale » (Italien → Français) :

TERMINOLOGIE
voir aussi les traductions en contexte ci-dessous
accesso casuale | accesso diretto | libero accesso

accès aléatoire | accès direct | accès libre | accès sélectif


canale di richiesta d'accesso casuale | canale per richiesta di accesso con tecnica di accesso multiplo | RACH [Abbr.]

canal à accès aléatoire | RACH [Abbr.]


memoria statica ad accesso casuale | memoria statica di lettura e scrittura a libero accesso | SRAM [Abbr.]

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TRADUCTIONS EN CONTEXTE
11. insiste sul fatto che il sistema giudiziario albanese deve essere pienamente indipendente, più prevedibile, efficiente ed equo onde garantire che goda della fiducia dei cittadini e della comunità imprenditoriale; invita pertanto le autorità ad assicurare la depoliticizzazione della magistratura stabilendo un processo meritocratico e trasparente di nomina di giudici e procuratori, ottenendo risultati solidi nei procedimenti disciplinari e garantendo una giustizia puntuale, l'unificazione della giurisprudenza, la pubblicazione di tutte le decisioni giudiziarie subito dopo l'adozione, l'agevolazione dell'accesso alle stesse e l'assegnazione casuale ...[+++]

11. insiste sur le fait que le système judiciaire albanais doit être totalement indépendant, plus prévisible, efficace et juste afin que les citoyens et le monde des affaires puissent s'y fier; appelle, par conséquent, les autorités à garantir la dépolitisation du pouvoir judiciaire en mettant en place une procédure transparente, fondée sur le mérite, de nomination des juges et des procureurs, en obtenant des résultats probants dans les procédures disciplinaires, en rendant la justice en temps voulu, en unifiant la jurisprudence, en publiant toutes les décisions de justice immédiatement après leur adoption et en veillant à ce qu'elles soient facilement accessibles, ainsi qu ...[+++]


Il prodotto oggetto dell’inchiesta e il prodotto simile sono gli stessi dell’inchiesta iniziale, ovvero alcuni microcircuiti elettronici noti come DRAM (Dynamic Random Access Memories — memorie dinamiche ad accesso casuale), di ogni tipo, densità e variante, assemblati, montati su wafer o sotto forma di chip (dies), costruiti utilizzando tipi diversi di semiconduttori metallo-ossidi (MOS), compresi tipi di MOS complementari (CMOS), di ogni densità (comprese le densità future), indipendentemente dalla velocità di accesso, dalla configurazione, dalla confezione o dal supporto, ecc., originari della Repubblica di Corea.

Les produits considérés et les produits similaires sont les mêmes que lors de l'enquête initiale, à savoir certains types de microcircuits électroniques dits «DRAM» (dynamic random access memories — mémoires dynamiques à accès aléatoire), de tous types, densités (y compris les densités non encore existantes) et variantes, assemblés ou non, sous forme de disques ou de microplaquettes transformés, fabriqués à l'aide de variantes du procédé métal-oxyde-semi-conducteur (MOS), y compris certains types de MOS complémentaire (CMOS), quels que soient leurs vitesse d'accès, configuration, mode de conditionnement ou support, etc., originaires de l ...[+++]


I prodotti oggetto del riesame sono alcuni circuiti elettronici integrati noti come DRAM (Dynamic Random Access Memories — memorie dinamiche ad accesso casuale), costruiti utilizzando tipi diversi di semiconduttori metallo-ossidi (MOS), compresi tipi di MOS complementari (CMOS), di ogni tipo, densità, variante, velocità di accesso, configurazione, confezione o supporto, ecc., originari della Repubblica di Corea («il prodotto in esame»).

Les produits faisant l'objet du réexamen sont certains circuits électroniques intégrés dits «DRAM» (dynamic random access memories — mémoires dynamiques à accès aléatoire), fabriqués à l'aide de variantes du procédé métal-oxyde-semi-conducteur (MOS), y compris certains types de MOS complémentaire (CMOS), de tous types, densités et variantes, quels que soient leur vitesse d'accès, leur configuration, leur mode de conditionnement ou leur support, etc., originaires de la République de Corée (ci-après dénommés «produit concerné»).


Il regolamento definitivo è stato preceduto dal regolamento (CE) n. 708/2003 della Commissione, del 23 aprile 2003, che istituisce un dazio compensativo provvisorio sulle importazioni di alcuni microcircuiti elettronici, detti DRAM (Dynamic Random Access Memories — memorie dinamiche ad accesso casuale), originarie della Repubblica di Corea (4) («il regolamento provvisorio»).

Le règlement définitif a été précédé du règlement (CE) no 708/2003 de la Commission du 23 avril 2003 instituant un droit compensateur provisoire sur les importations de certains microcircuits électroniques dits «DRAM» (dynamic random access memories — mémoires dynamiques à accès aléatoire) originaires de la République de Corée (4) (ci-après dénommé «règlement provisoire»).


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Con il regolamento (CE) n. 1480/2003 (3) (il regolamento definitivo), il Consiglio ha istituito un dazio compensativo definitivo del 34,8 % sulle importazioni di alcuni microcircuiti elettronici noti come DRAM (Dynamic Random Access Memories — memorie dinamiche ad accesso casuale) originari della Repubblica di Corea e prodotti da tutte le società ad eccezione della Samsung Electronics Co., Ltd (Samsung), per la quale è stato fissato un dazio compensativo pari allo 0 %.

Par le règlement (CE) no 1480/2003 (3) (ci-après dénommé «règlement définitif»), le Conseil a institué un droit compensateur définitif de 34,8 % sur les importations de certains microcircuits électroniques dits «DRAM» (dynamic random access memories — mémoires dynamiques à accès aléatoire) originaires de la République de Corée et fabriqués par toutes les sociétés autres que Samsung Electronics Co., Ltd (ci-après dénommée «Samsung»), pour laquelle un taux de droit nul a été établi.


Il 22 maggio 2001 la Germania ha notificato l'intenzione di concedere un aiuto ai sensi della disciplina multisettoriale degli aiuti regionali ai grandi progetti d'investimento ("disciplina multisettoriale") a favore di Infineon Technologies SC 300 GmbH Co. KG al fine della costruzione di un nuovo impianto per la produzione di DRAM (memorie dinamiche ad accesso casuale).

Le 22 mai 2001, l'Allemagne a fait part, conformément à l'encadrement multisectoriel des aides à finalité régionale en faveur de grands projets d'investissement ("encadrement multisectoriel"), de son intention d'octroyer une aide à Infineon Technologies SC 300 GmbH Co. KG en vue de la construction d'une installation de production de DRAM (mémoires dynamiques à accès aléatoire).


I prodotti oggetto dell'inchiesta sono alcuni tipi di microcircuiti definiti memorie dinamiche ad accesso casuale (DRAM), commercializzate nelle seguenti forme: - wafer e piastrine - DRAM finite - combinazioni, come i moduli DRAM, le quali utilizzano tutte le tecnologie MOS e presentano varie densità, senza tenere conto di differenze sul piano della configurazione, dell'imballaggio o del tempo di accesso.

Les produits qui ont fait l'objet de l'enquête sont certains types de micro-circuits électroniques appelés mémoires dynamiques à accès aléatoire (DRAM), qu'ils aient la forme de disques ou de micro-plaquettes usinés, qu'ils soient assemblés et testés, ou transformés en modules de différentes configurations; ils sont réalisés selon toutes les variantes de la technologie MOS et dans toutes les densités, quels que soient leur vitesse d'accès, leur configuration et leur boîtier.


Antefatto Nel settembre 1992 la Commissione ha istituito un dazio antidumping provvisorio del 10,1% su tutte le importazioni di DRAM (memorie dinamiche ad accesso casuale) nella Comunità provenienti dalla Repubblica di Corea (1).

Contexte En septembre 1992, la Commission a institué un droit antidumping provisoire de 10,1 % sur toutes les importations dans la Communauté de DRAM (dynamic random access memories - mémoires dynamiques à accès aléatoire) originaires de la république de Corée(1).


Antidumping : importazioni di DRAM dal Giappone e dalla Repubblica di Corea Il Consiglio ha prorogato di un anno la sospensione dei dazi antidumping definitivi sulle importazioni di alcuni tipi di microcircuiti elettronici, detti "DRAM" (dynamic random access memories - memorie dinamiche ad accesso casuale), originari del Giappone e della Repubblica di Corea, istituiti rispettivamente dai regolamenti (CEE) n. 2112/90 e n. 611/93.

Antidumping : Importations de "DRAM" du Japon et de la République de Corée Le Conseil a prorogé, pour une période d'un an, la suspension des droits antidumping définitifs sur les importations de certains types de microcircuits électroniques, dits "DRAM" (dynamic random access memories - mémoires dynamiques à accès aléatoire), originaires du Japon et de la République de Corée, institués respectivement par les règlements (CEE) nu 2112/90 et nu 611/93.


- Aiuto di Stato N 138/94 - Microelettronica - Siemens AG - Sassonia - Germania (Dresda) - Approvazione La Commissione ha deciso di autorizzare ai sensi dell'articolo 92, paragrafo 3, lettera c) del trattato CE una sovvenzione ad hoc di 450 Mio di DM (231 Mio di ECU) da versare in cinque rate annuali nel periodo 1995-1999 che il governo della Sassonia intende accordare a Siemens AG per la costruzione a Dresda di un nuovo impianto di produzione e di RS per memorie dinamiche ad accesso casuale ("DRAM").

- Aide d'État n° N 138/94 - Secteur de la microélectronique - SIEMENS AG - Saxe, Allemagne (Dresde) - Approbation La Commission a décidé d'autoriser, en application de l'article 92 paragraphe 3 c) du Traité CE, une subvention ad hoc de 450 millions de DM (231 millions d'écus) payable en cinq versements annuels au cours de la période de 1995 à 1999 que les autorités de la Saxe se proposent d'accorder à SIEMENS AG pour la création à Dresde d'un nouveau centre de RD et de production de mémoires vives (RAM) dynamiques.


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